【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，配置于一基板上，该像素结构包括：一栅极，配置于该基板上；一第一栅绝缘层，配置于该基板上并覆盖该栅极；一像素电极，配置于该第一栅绝缘层上；一第二栅绝缘层，配置于该基板上并覆盖该像素电极，该像素电极位于该第一栅绝缘层与该第二栅绝缘层之间，其中该第二栅绝缘层具第一接触开口，该第一接触开口暴露出该像素电极的一部分；一通道层，配置于该第二栅绝缘层上并位在该栅极上方；一源极与一漏极，配置于该第二栅绝缘层上，分别位于该通道层两侧并同时接触于该通道层，并且该漏极电性连接该像素电极；以及一共用电极，配置于该第二栅绝缘层上，该共用电极重叠于该像素电极，并且该共用电极具有多个狭缝位在该像素电极上方。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄淑敏，蔡易积，赵中立，曾莞容，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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