半导体器件制造方法以及半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件制造方法以及半导体器件，通过其能够轻松地识别无标签封装中的1引脚的位置。多个引线(LE)的后表面暴露于密封了半导体芯片(5)等的树脂密封主体(MO)的后表面上，进一步提供邻近1引脚(带有标号1的引线(LE))的图像识别区域(PRA)，并且标识标志(PP)的后表面从图像识别区域(PRA)的密封主体(MO)的后表面露出。该标识标志(PP)由与多个引线(LE)相同的传导构件制成。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件制造方法以及半导体器件
本专利技术涉及一种半导体器件制造方法以及半导体器件，并且其能够适用于例如在封装的背部表面上具有引线的半导体器件的制造。
技术介绍
针对树脂密封的半导体器件的属性选择，识别1引脚(一个引脚)的位置是必要的，该1引脚被从多个引线(外部连接端子，外部端子，以及端子)确定为的标号(标识号，序列号，以及标号)中的第一引线。例如，公开号为2006-288304的日本专利公开了一种技术，该技术为从塑封树脂的下表面露出的外围设备的悬置引线的前端被配置为加强型端子部，并且一个加强型端子被确定为与其它的加强型端子具有不同的形状，其从塑封树脂中暴露出来，由此识别1引脚。公开号为2011-091145的日本专利公开了一种技术，该技术为通过部分暴露在树脂封装的后表面上露处的岛状物的拐角部分将岛状物的露出的形状用作位置识别标志。另外，公开号为2006-229263的日本专利公开了一种技术，该技术为多个悬置引线部分地从树脂密封的主体的后表面露出，并且其中之一用作用于识别树脂密封的主体的方向的标志。公开号为2003-332513的日本专利公开了一种技术，该技术为在沿着密封主体的前表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，包括步骤：(a)制备引线框架(LF1)，其已经布置多个单元框架，所述单元框架具有：方形保持框架，由围绕芯片装配区域的传导构件制成；多个引线(LE)，具有第一厚度，由耦合至所述保持框架并且被所述保持框架保持的所述传导构件制成；悬置引线(LL)，其具有小于所述第一厚度的第二厚度，由耦合至所述保持框架并且被所述保持框架保持的所述传导构件制成，以及标识标志(PP)，具有所述第一厚度，由被所述悬置引线(LL)保持的所述传导构件制成；(b)制备半导体晶片(1)，具有第一主表面(1x)、布置在所述第一主表面(1x)上的多个芯片区域(1CA)、布置在所述多个芯片区域(1CA)中的相互临...

【技术特征摘要】
2012.05.10 JP 2012-1082661.一种半导体器件制造方法，包括步骤：(a)制备引线框架，其已经布置多个单元框架，所述单元框架具有：方形保持框架，由围绕第一区域的传导构件制成，所述第一区域围绕芯片装配区域；多个引线，具有第一厚度，由耦合至所述保持框架并且被所述保持框架保持的所述传导构件制成，且围绕所述芯片装配区域并且设置在所述第一区域中；悬置引线，其具有小于所述第一厚度的第二厚度，由耦合至所述保持框架并且被所述保持框架保持的所述传导构件制成，以及标识标志，具有所述第一厚度，由被所述悬置引线保持的所述传导构件制成；(b)制备半导体晶片，具有第一主表面、布置在所述第一主表面上的多个芯片区域、布置在所述多个芯片区域中的相互临近的芯片区域之间的切削区域以及在所述第一主表面的相对侧的第二主表面；(c)将树脂薄片附着到所述半导体晶片的所述第二主表面；(d)在所述步骤(c)之后，沿着所述切削区域切削所述半导体晶片和所述树脂薄片以获得具有所述树脂薄片的部分的半导体芯片；(e)在所述步骤(d)之后，将所述引线框架固定到布置在热平台的前表面上的框架带的上表面，经由所述树脂薄片的所述部分将所述半导体芯片布置在配置所述引线框架的所述单元框架的所述芯片装配区域中，并且将所述半导体芯片固定至所述框架带的上表面；(f)在所述步骤(e)之后，经由多个传导线将所述半导体芯片的多个电极焊盘和所述多个引线的前表面电连接；(g)在所述步骤(f)之后，通过用树脂密封所述半导体芯片、所述多个传导线、所述多个引线的所述前表面和侧表面、所述悬置引线、所述标识标志的前表面和侧表面、以及所述框架带的所述上表面而形成密封主体，并且将所述树脂薄片的一部分形成为所述密封主体的一部分；(h)在所述步骤(g)之后，从所述密封主体剥离所述框架带以将所述多个引线的后表面和所述标识标志的后表面从所述密封主体的后表面露出；以及(i)在所述步骤(g)之后，切削所述密封主体、所述多个引线和所述悬置引线以获得独立的半导体器件，其中，在步骤(a)中，所述悬置引线和所述标识标志在平面图中设置在所述第一区域中，而未设置在所述芯片装配区域中。2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中：所述保持框架配置有第一保持部分和第三保持部分以及第二保持部分和第四保持部分，所述第一保持部分和所述第三保持部分相互分离并且被提供为在第一方向上延伸，而所述第二保持部分和所述第四保持部分相互分离并且被提供为在与所述第一方向成直角相交的第二方向上延伸；所述第一保持部分与所述第二保持部分、所述第二保持部分与所述第三保持部分、所述第三保持部分与所述第四保持部分、以及所述第四保持部分与所述第一保持部分分别相互耦合；以及所述悬置引线配置有被提供为在第一方向上延伸的第一部分以及被提供为在第二方向上延伸的第二部分，所述悬置引线的所述第一部分的一端与所述第四保持部分耦合，所述悬置引线的所述第二部分的一端与所述第一保持部分耦合，并且由所述悬置引线的所述第一部分的另一端以及所述悬置引线的所述第二部分的另一端保持所述标识标志。3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中：所述保持框架配置有第一保持部分和第三保持部分以及第二保持部分和第四保持部分，所述第一保持部分和所述第三保持部分相互分离并且被提供为在第一方向上延伸，而所述第二保持部分和所述第四保持部分相互分离并且被提供为在与所述第一方向成直角相交的第二方向上延伸；所述第一保持部分与所述第二保持部分、所述第二保持部分与所述第三保持部分、所述第三保持部分与所述第四保持部分、以及所述第四保持部分与所述第一保持部分分别相互耦合；以及所述悬置引线的一端与所述第一保持部分耦合，并且所述悬置引线的另一端保持所述标识标志。4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中从所述密封主体的所述后表面露出的所述标识标志的所述后表面的形状在平面图中为圆形或四角形。5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述传导构件为铜，并且在所述多个引线的所述后...

【专利技术属性】
技术研发人员：成田博明，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
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