【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双重光刻胶结构，其特征在于，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层反性，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有中间层，所述中间层用于防止正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡华勇，伍强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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