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一种双重光刻胶结构，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层反性，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有中间层，所述中间层用于防止正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散。此外，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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