【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻胶组合物。
技术介绍
利用光刻法的半导体微制造用的光刻胶组合物含有产酸剂，所述产酸剂含有通过 辐射生成酸的化合物。US 2006/0194982 Al披露了一种包含树脂、产酸剂和2，6_ 二异丙基苯胺的光刻 胶组合物，所述树脂具有酸敏基团，并且不溶或难溶于碱性水溶液，但通过酸的作用变得可 溶于碱性水溶液。US 5916728 A披露了一种包含树脂、产酸剂和N_2_(羟乙基)吗啉的光刻胶组合 物，所述树脂具有酸敏基团，并且不溶或难溶于碱性水溶液，但通过酸的作用变得可溶于碱 性水溶液。
技术实现思路
本专利技术提供一种光刻胶组合物。本专利技术涉及以下内容<1> 一种光刻胶组合物，其包含具有酸敏基团且不溶或难溶于碱性水溶液但通过 酸的作用变得可溶于碱性水溶液中的树脂、产酸剂和式(I)表示的化合物权利要求1.一种光刻胶组合物，其包含具有酸敏基团且不溶或难溶于碱性水溶液但通过酸的作 用变得可溶于碱性水溶液中的树脂、产酸剂和式(I)表示的化合物2.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中Z1为C7-C20亚烷基或C3-C20二价饱和环基。3.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中Z1为C7-C12亚烷基或C6-C20二价饱和环基。4.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中Z1为辛烷-1，8-二基、十二烷-1，12-二基或 环己烷-1，2-二基。5.根据权利要求1、2、3或4的光刻胶组合物，其中所述产酸剂为式(Bi)表示的盐.6.根据权利要求5的光刻胶组合物，其中Lbl为*-CO-O-Lb2-，其中*表示与-C (Q1) (Q2)-的键合位置，Lb2表示...
【技术保护点】
一种光刻胶组合物，其包含具有酸敏基团且不溶或难溶于碱性水溶液但通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液中的树脂、产酸剂和式（Ⅰ）表示的化合物：＊－Ｚ↑［１］－ＯＨ（Ⅰ）其中Ｚ↑［１］表示Ｃ７－Ｃ２０亚烷基、Ｃ３－Ｃ２０二价饱和环基或通过结合至少一个Ｃ１－Ｃ６亚烷基与至少一个Ｃ３－Ｃ２０二价饱和环基而形成的二价基团。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山口训史，金淳信，吉田勋，市川幸司，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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