【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善硅片背面金属污染的方法，应用于等离子体增强化学气相成膜的腔体清洗工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一需要进行清洗工艺的腔体，且该腔体的内壁上覆盖有第一环境膜；去除所述第一环境膜；于所述腔体的内壁上制备掺氮的环境膜；制备非掺氮的环境膜覆盖所述环境膜的表面；在所述腔体中继续进行等离子体增强化学气相成膜工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：桑宁波，贺忻，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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