一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺，包括液态源装置、载气装置、旁路、生长室以及真空系统。所述液态源装置包括四个源瓶：硅源、碳源、N型杂质源和P型杂质源，它们分别安装在独立的恒温槽里，并且整体安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成碳化硅薄膜。所述载气用于稀释以及输运生长源，它直接通过主管道进入生长室。所述旁路可以单独打开或关闭，从而控制生长室气源进而控制薄膜生长；所述与载气装置相连接的旁路输运气量与主管道载气量相当，使所述与液态源装置相连接的旁路在切换过程中不至于影响生长室压力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种碳化硅薄膜生长设备，其包括载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统；其中，所述载气装置与液态源装置、生长室和旁路相连通；所述液态源装置与所述生长室和旁路相连通；所述生长室与所述真空系统相连通，且上述各部件之间的连接可单独关闭和打开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴昉，刘斌，董林，郑柳，闫果果，张峰，王雷，孙国胜，曾一平，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：