【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】 一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的氧化铍绝缘层；形成在所述氧化铍绝缘层上的单晶半导体层；以及形成在所述单晶半导体层中的半导体有源器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】 技术研发人员：王敬，刘立滨，梁仁荣，许军， 申请(专利权)人：清华大学， 类型：发明 国别省市：
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