一种含有金属的半导体装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术了一种含有金属的半导体装置，通过金属改变半导体材料原有的能级分布，从而改变半导体材料电特性；本发明专利技术还涉及含有金属的半导体装置的制备方法；本发明专利技术的半导体装置是制造半导体器件和集成电路的基本结构。

【技术实现步骤摘要】
一种含有金属的半导体装置及其制备方法
本专利技术涉及到一种含有金属的半导体装置，本专利技术还涉及含有金属的半导体装置的制备方法。本专利技术的半导体装置是制造半导体器件和集成电路的基本结构。
技术介绍
半导体器件在人类社会中，扮演着越来越重要的角色，被广泛应用于照明、通信、计算机、汽车、工业电子设备等领域，是人类社会的基础性产品。随着分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相淀积方法(MOCVD)等薄膜技术的发展，各种半导体的微结构和应用被广泛应用半导体技术中，常见的应用包括具有异质结的相关器件。
技术实现思路
本专利技术的半导体装置，是将导体材料金属与半导体材料相结合形成的半导体装置，本专利技术还包括了此半导体装置的制备方法。一种含有金属的半导体装置，其特征在于：包括：半导体材料，在其中设置了多个薄层、多个线状的金属材料。所述的金属材料周围的半导体材料可以为第一导电半导体材料或者第二导电半导体材料。所述的金属材料周围的半导体材料可以包括不同种类型的半导体材料。所述的金属材料与半导体材料之间可以形成欧姆接触或者肖特基势垒结。所述的在半导体材料中的多个薄层金属材料，可以被平行放置在半导体材料中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有金属的半导体装置，其特征在于：包括：半导体材料，在其中设置了多个薄层状、多个线状或多个点状的金属材料。

【技术特征摘要】
1.一种含有金属的半导体装置，其特征在于：包括：半导体材料，为第一导电半导体材料，在其中设置了多个平行金属层，金属层由网格结构或多个平行线状金属材料构成，金属层之间半导体材料通过金属层内空缺互连，金属材料与半导体材料之间为肖特基势垒结。2.如权利要求1所述的一种含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱江，盛况，
申请(专利权)人：朱江，盛况，
类型：发明
国别省市：