【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有环形圈包层结构的纳米线晶体管，其特征在于：通过控制纳米线“芯一包层”结构的生长条件，首先生长具有轴向异质结构的纳米线，接着在异质结构纳米线的侧壁生长一层均匀的包层结构，然后在具有包层结构的异质结纳米线侧壁的特定部位形成具有凸起形貌的环形圈包层结构，最后在环形圈顶部和上下两侧分别制备电极形成晶体管，实现在纳米线的轴向上制备多个晶体管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉，黄贤良，金智渊，刘蓬勃，任明坤，刘学宇，吴海波，赵丹娜，
申请(专利权)人：大连理工大学，北京三星通信技术研究有限公司，
类型：发明
国别省市：
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