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一种具有环形圈包层结构的纳米线晶体管，属于新材料、电子器件和半导体技术领域。其特征是通过控制纳米线“芯—包层”结构的生长条件，在纳米线侧壁特定部位形成环形圈包层结构，从而实现在纳米线轴向上集成多个晶体管。环形圈的位置可以通过“芯”与“包层”...该专利属于大连理工大学;北京三星通信技术研究有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学;北京三星通信技术研究有限公司授权不得商用。