包含多层存储单元的非易失性存储器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及非易失性存储器及其制造方法，该存储器通过在半导体基底上层叠半导体层而形成多层结构的半导体层，并在半导体基底与层叠于该半导体基底上的半导体层之间、以及层叠为多层结构的半导体层之间形成层间绝缘层，其中，在半导体基底上或多层结构的各半导体层上形成具有不同台阶的第一台阶单元和第二台阶单元，而第一台阶单元和第二台阶单元分别由层叠为第一电极-可变电阻-第二电极-半导体层、第一电极-可变电阻-第二电极、第一电极-绝缘膜-第二电极-半导体层、第一电极-绝缘膜-第二电极的结构体中的某一种构成，且第一台阶单元以较高水平面为基准形成而第二台阶单元以较低水平面为基准形成，以将存储单元构成为多层结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非易失性存储器，其特征在于，通过在半导体基底上层叠半导体层而形成多层结构的半导体层，并在所述半导体基底与层叠于该半导体基底上的半导体层之间、以及层叠为所述多层结构的半导体层之间形成层间绝缘层，其中，在所述半导体基底上或所述多层结构的各半导体层上形成具有不同台阶的第一台阶单元和第二台阶单元，而所述第一台阶单元和第二台阶单元分别由层叠为导电层(第一电极)?可变电阻(中间层)?金属层(第二电极)?半导体层的结构体、层叠为金属层(第一电极)?可变电阻(中间层)?半导体层(第二电极)的结构体、层叠为导电层(第一电极)?绝缘膜(中间层)?金属层(第二电极)?半导体层的结构体、层叠为金属层(第一电极)?绝缘膜(中间层)?半导体层(第二电极)的结构体中的某一种所构成，且所述第一台阶单元以台阶较高的水平面为基准形成而所述第二台阶单元以台阶较低水平面为基准形成，从而将存储单元构成为多层结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：权义弼，
申请(专利权)人：权义弼，
类型：发明
国别省市：