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本发明涉及非易失性存储器及其制造方法，该存储器通过在半导体基底上层叠半导体层而形成多层结构的半导体层，并在半导体基底与层叠于该半导体基底上的半导体层之间、以及层叠为多层结构的半导体层之间形成层间绝缘层，其中，在半导体基底上或多层结构的各半导...
该专利属于权义弼所有，仅供学习研究参考，未经过权义弼授权不得商用。

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