【技术实现步骤摘要】
带凸块的器件晶片的加工方法
本专利技术涉及半导体器件晶片的加工方法,更详细地讲,涉及使薄化后的半导体器件晶片的操作容易进行的技术。
技术介绍
在半导体器件晶片、光器件晶片等表面具有多个器件的晶片的加工中,例如,进行对晶片的背面磨削的薄化处理,以使晶片的厚度达到50μm以下。与更厚的晶片相比,晶片的厚度达到50μm以下的晶片的操作(处理)变得非常困难。产生了例如在晶片的外周产生破损或刚性显著降低的问题。因此,已知下述技术:在利用粘接剂等将晶片的表面(器件面)粘贴至由玻璃或硅构成的载体晶片(也称作支承晶片、支承板)上的状态下,实施晶片的背面磨削(参照专利文献1)。专利文献1:日本特开2004-207606号公报然而,在半导体晶片的表面形成有多个凸块的带凸块的器件晶片存在下述问题:粘接剂进入由凸块形成的凹凸部位,在将器件从载体晶片剥离后,将所述进入微细的凹凸的粘接剂完全除去非常困难。而且,担心由于残留的粘接剂而引起器件不合格。另一方面,带凸块的器件晶片由形成有器件的器件区域和未形成有器件的外周剩余区域构成,但由于在外周剩余区域未形成有凸块,所以器件区域和外周剩余区域的上 ...
【技术保护点】
一种带凸块的器件晶片的加工方法,所述带凸块的器件晶片具备器件区域和围绕所述器件区域的外周剩余区域,所述器件区域在由形成于表面的交叉的多条分割预定线划分出的各个区域分别形成有器件,所述器件具有多个凸块,所述带凸块的器件晶片的加工方法的特征在于,所述带凸块的器件晶片的加工方法具备:载体晶片准备步骤,在所述载体晶片准备步骤中,准备载体晶片,所述载体晶片具备深度与所述凸块的高度相当的凹部和与所述器件晶片的所述外周剩余区域对应并围绕所述凹部的环状凸部,在所述环状凸部的上表面形成有环状槽,所述载体晶片用于支承所述器件晶片的表面,所述凸块形成于所述器件晶片的与所述器件区域对应的区域;粘接 ...
【技术特征摘要】
2012.03.02 US 13/410,7941.一种带凸块的器件晶片的加工方法,所述带凸块的器件晶片具备器件区域和围绕所述器件区域的外周剩余区域,所述器件区域在由形成于表面的交叉的多条分割预定线划分出的各个区域分别形成有器件,所述器件具有多个凸块,所述带凸块的器件晶片的加工方法的特征在于,所述带凸块的器件晶片的加工方法具备:载体晶片准备步骤,在所述载体晶片准备步骤中,准备载体晶片,所述载体晶片具备深度与所述凸块的高度相当的凹部和与所述器件晶片的所述外周剩余区域对应并围绕所述凹部的环状凸部,在所述环状凸部的上表面形成有环状槽,所述载体晶片用于支承所述器件晶片的表面,所述凸块形成于所述器件晶片的与所述器件区域对应的区域;粘接剂配...
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