制造半导体器件的方法和半导体器件技术
【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和半导体器件相关申请的交叉引用这里通过引用整体并入2012年3月2日提交的日本专利申请No.2012-046330的全部公开内容(包括说明书、附图和摘要)。本专利技术涉及制造半导体器件的方法和半导体器件，具体而言，涉及当应用于具有如下封装结构的半导体器件时有效的技术，在该封装结构中，从树脂模制件(molding)的下表面露出电耦合到半导体芯片背表面的外部端子和电耦合到形成于半导体芯片的表面上的键合焊盘的外部端子。
技术介绍
例如，日本专利公开No.2007-324523(专利文献1)公开了如下方法：烧结由金属粉末和有机溶剂组成并且施加到半导体芯片的金属膏剂，以获得烧结后的粉末金属；在半导体芯片上装配Ni镀层；对它们进行加热并施加压力，以将半导体芯片和Ni镀层键合。日本专利公开No.2004-126622(专利文献2)公开了如下技术：高密度装配发光二极管，每个发光二极管配备有多个电极、多个发光二极管和绝缘层，该多个电极以其间具有一定距离的方式设置在衬底上，该多个发光二极管分别经由导电粘附剂设置在该电极上，并且该绝缘层设置在该衬底上使得利用该绝缘层围绕导...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供第一厚度的半导体晶片，所述半导体晶片具有第一主表面、设置在所述第一主表面之上的多个芯片区域、设置在彼此相邻的两个芯片区域之间的切割区域以及在与所述第一主表面相对侧的第二主表面；(b)利用研磨材料对所述半导体晶片的第二主表面进行研磨，以将所述半导体晶片的厚度减小至第二厚度，同时在所述第二主表面上留下多个研磨沟；(c)沿着所述切割区域对所述半导体晶片进行划片，同时在所述半导体晶片的第二主表面上留下所述研磨沟以获得半导体芯片；(d)提供母衬底，所述母衬底由金属制成且具有多个芯片安装区域，所述芯片安装区域具有第一电极板和远离所述第一...
【技术特征摘要】
2012.03.02 JP 2012-0463301.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供第一厚度的半导体晶片，所述半导体晶片具有第一主表面、设置在所述第一主表面之上的多个芯片区域、设置在彼此相邻的两个芯片区域之间的切割区域以及在与所述第一主表面相对侧的第二主表面；(b)利用研磨材料对所述半导体晶片的第二主表面进行研磨，以将所述半导体晶片的厚度减小至第二厚度，同时在所述第二主表面上留下多个研磨沟；(c)沿着所述切割区域对所述半导体晶片进行划片，同时在所述半导体晶片的第二主表面上留下所述研磨沟以获得半导体芯片；(d)提供母衬底，所述母衬底由金属制成且具有多个芯片安装区域，所述芯片安装区域具有第一电极板和远离所述第一电极板放置的第二电极板，所述第一电极板在其上表面上具有凹部；(e)经由导电树脂膏剂在所述第一电极板的上表面之上放置所述半导体芯片，以使所述半导体芯片的背表面与所述第一电极板的上表面彼此面对，同时在所述半导体芯片的背表面上留下所述研磨沟；(f)在所述步骤(e)之后，经由导电部件将所述半导体芯片的键合焊盘电耦合到所述第二电极板；(g)在所述步骤(f)之后，利用树脂密封所述半导体芯片、所述导电部件、所述第一电极板的一部分、所述第二电极板的一部分和所述母衬底的上表面，以形成树脂模制件；以及(h)在所述步骤(g)之后，将所述母衬底从所述树脂模制件剥离，并且使所述第一电极板的下表面和所述第二电极板的下表面从所述树脂模制件露出，在所述步骤(e)时，所述导电树脂膏剂的宽度在从截面看时的、在所述半导体芯片的所述第二主表面的方向上大于所述第一电极板的所述上表面的宽度。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述研磨材料具有从#320到#4000的粗糙度。3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述研磨材料具有#2000的粗糙度。4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述步骤(c)中的半导体芯片的背表面的表面粗糙度就最大高度Ry而言为0.2μm。5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述研磨材料为金刚石磨石。6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一电极板的所述凹部具有从所述凹部的边缘到所述凹部的底部的为3μm到10μm的深度。7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中在所述步骤(e)中，所述导电树脂膏剂从所述半导体芯片的背表面散布到所述半导体芯片的侧表面的一部分。8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中当经由所述导...
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