系统级封装型半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置。所述系统级封装型半导体装置的特点在于满足下述条件：1）底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2）底部填充剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃，以及3）树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种系统级封装型半导体装置，其特征在于包括：基板；以倒装芯片方式连接在所述基板上的第一半导体元件；所述第一半导体元件与所述基板之间的底部填充部；配置在所述第一半导体元件上侧的至少1个第二半导体元件；以及覆盖所述第一半导体元件、所述底部填充部以及所述第二半导体元件的树脂密封部，所述底部填充部是由含有下述(A)成分至(C)成分的底部填充剂的硬化物所组成：(A)环氧树脂；(B)硬化剂，其量满足[所述(A)环氧树脂中的环氧基的当量/所述(B)硬化剂中的环氧基与反应性基团的当量]为0.7～1.2；以及(C)无机填充剂，相对于100重量份所述(A)环氧树脂，所述(C)无机填充剂为50重量份～500重量份，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：隅田和昌，加藤馨，下田太郎，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：