【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列包括多个纳米晶浮栅存储器、多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，其中，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，且每个存储单元连接一条位线和一条字线，所述多条位线与所述多条字线相互垂直排列，其特征在于：当对所选定存储单元进行编程时，该方法包括如下步骤：将与所选定存储单元连接的位线之前的第二条位线接地；对与所选定存储单元连接的位线之前的第一条位线施加电压Vl；对与所选定存储单元连接的位线施加电压Vh；所述Vl小于Vh。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王琴，杨潇楠，王永，张满红，霍宗亮，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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