【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及NAND FLASH控制器的设计领域，尤其涉及基于FPGA的快速NANDFLASH控制器及其控制方法。
技术介绍
FLASH,又称闪存，它结合了 ROM和RAM的优势，不仅具备EEPROM电子可擦出可编程的性能，还具有NVRAM可以快速读取数据的优势，具有体积小、功耗低、速度快、非易失等特点，广泛的应用于嵌入式领域，如数字家电，手机等。近年来，FLASH的应用领域获得了极大的扩展，尤其是在嵌入式领域以及大容量高速数据存储领域。FLASH按其内部架构主要分为NOR和NAND两类，两者的区别主要体现在读写速度、擦除性能、密度、成本、使用寿命等方面。NOR FLASH源于传统的EPROM器件，程序和数据可存放在同一芯片上，具有独立的数据和地址总线，随机读取速度快，能够直接执行程序代码，可靠性高。而NAND FLASH没有单独的地址和数据总线，实现串行读取，以页为单位进行读、写操作，页大小通常为2K字节，以块为单位进行擦出，一块通常包括32或64页。与NOR FLASH相比，NAND FLASH的读取速度稍慢，但擦写速度却快很多，并且在容量、使用寿命、成本上也有较大优势。NAND FLASH复用地址线和数据线，因此在编程上较NOR FLASH复杂。NOR FLASH的成本较高，一般用于启动代码的存储，而NAND FLASH主要用于大容量数据的存储，另外在NAND FLASH中存在位反转现象，因此在使用时，一般同时使用ECC (ErrorChecking and Correcting)校验算法完成对数据的纠错。在嵌入式设备中，多采用NAND FLAS...
【技术保护点】
基于FPGA的快速NAND?FLASH控制器，其特征是，包括指令寄存器、可编程状态机和ECC纠错检错逻辑模块，所述控制器还包括buffer阵列，所述buffer阵列中包含若干个buffer模块，所述BUFFER阵列中包含片选逻辑，所述NAND?FLASH控制器采用流水线方式进行数据存储。
【技术特征摘要】
1.基于FPGA的快速NANDFLASH控制器，其特征是，包括指令寄存器、可编程状态机和ECC纠错检错逻辑模块,所述控制器还包括buffer阵列，所述buffer阵列中包含若干个buffer模块，所述BUFFER阵列中包含片选逻辑，所述NAND FLASH控制器采用流水线方式进行数据存储。2.如权利要求1所述的基于FPGA的快速NANDFLASH控制器，其特征是，所述NANDFLASH控制器通过SRAM接口与主控制器连接。3.如权利要求1所述的基于FPGA的快速NANDFLASH控制器，其特征是，所述NANDFLASH控制器通过NAND FLASH接口与NAND FLASH芯片连接。4.上述任一权利要求所述的基于FPGA的快速NANDFLASH控制器所采用的控制方法，其特征...
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