基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上，通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极，然后通过二次定位紫外曝光光刻和电子束蒸发，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的另一端蒸镀上一种惰性金属电极。本发明专利技术首次将硫属亚铜化合物准一维纳米结构应用于纳米存储器，性能稳定可靠，功耗低，且制备方法简单易行，有望作为高密度存储单元应用于新型纳米电子器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器，其特征在于，由绝缘衬底（1）、硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）、铜电极（3）和惰性金属电极（4）组成；其中，硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）置于绝缘衬底（1）的顶面，硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）的一端由铜电极（3）覆盖，硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）的另一端由惰性金属电极（4）覆盖，即铜电极（3）和惰性金属电极（4）通过硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）相连接；绝缘衬底（1）为柔性绝缘衬底或顶部带有绝缘层（5）的硅基衬底；构成硫属亚铜化合物的准一维纳米结构单元（2）的材质为硫化亚铜、硒化亚铜或碲化亚铜；硫属亚...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴春艳，吴义良，周国方，王文坚，毛盾，于永强，罗林保，王莉，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：