半导体发光元件及电极成膜方法技术

本发明专利技术提供了设有可用简易的方法制造且不易退化的电极的半导体发光元件及电极成膜方法。本发明专利技术的半导体发光元件（1）包括具有被供电而发光的发光层（12）的半导体层叠结构（10~14）和在半导体层叠结构（10~14）上形成的电极（21、22）。电极（21、22）包括将发光层（12）出射的光进行反射的反射膜（2b）、在反射膜（2b）上方和侧面形成的阻挡膜（2d）和仅在阻挡膜（2d）的上面形成的焊盘膜（2e）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及以发光二极管(LED:Light Emitting Diode)等为代表的半导体发光元件，以及该半导体发光元件所具有的电极的成膜方法。
技术介绍
以LED等为代表的半导体发光元件具有低功耗、小型、高亮度、寿命长等优点，因此近年来以各种各样的用途得到利用。例如，作为耗电量大的白炽灯的替代物被用于照明装置。另外，为了提高发射效率，提出了在电极具备能够使从发光层射出的光进行反射并获得的反射膜的半导体发光元件。例如，在特开2002-26392号公报、特开2008-41866号公报、特开2011-66461号公报、特开2006-80469号公报、特开2006-93358号公报、特开2011-204804号公报(以下称“公知文献1飞”)中，提出了将反射率高且低价的Al用作反射膜的半导体发光元件。然而，由于Al是熔点低且化学性质活泼的材料，因此存在表面容易腐蚀，内部容易产生空隙和小丘以及迁移的问题。另外，Al是在与异种金属接触时容易相互扩散的材料，例如若与Au接触就会因相互扩散而形成高电阻且脆性的金属间化合物AuAl，这成为半导体发光元件的驱动电压上升或电极的附着强度退化等半导体发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，包括：具有被供电而发光的发光层的半导体层叠结构；以及在所述半导体层叠结构上形成的电极，所述电极包括：将所述发光层出射的光进行反射的反射膜；在所述反射膜的上方和侧面形成的阻挡膜；以及仅在所述阻挡膜的上面形成的焊盘膜。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤智久，森淳，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：