【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种发光二极管以及其制造方法与应用，尤其指一种具有类金刚石(Diamond-like carbon, DLC)层的发光二极管以及其制造方法与其于芯片板上封装结构(chip on board, COB)的应用。
技术介绍
自60年代起，发光二极管的耗电量低及长效性的发光等优势，已逐渐取代日常生活中用来照明或各种电器设备的指示灯或光源等用途。更有甚者，发光二极管朝向多色彩及高亮度的发展，已应用在大型户外显示广告牌或交通号志。发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的二电极可位于芯片的同一侧或相对侦牝前者称的为水平式发光二极管，而后者即所谓直通式发光二极管。水平式发光二极管电流经过半导体发光层时必须转弯而沿芯片平行方向引出或流入，相较之下，直通式发光二极管的电流则可顺流而不必在两极之间转弯。如图1所示，是一公知水平式发光二极管，其包含有一半导体外延层14、一第一电极12、一第二电极16、以及一封装层18。该半导体外延多层复合结构14包括有一第一半导体外延层141、一活性层142、以及一第二半导体外延层143，封装层18设置于半导...
【技术保护点】
一种具有导电性类金刚石层的发光二极管，包括：一基材；一半导体外延多层复合结构，设置于该基材上，该半导体外延多层复合结构包含：一第一半导体外延层、以及一第二半导体外延层，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置；一绝缘性类金刚石层，覆盖该半导体外延多层复合结构的部分表面；一第一电极，与该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层电性连接；以及一第二电极，与该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层电性连接。
【技术特征摘要】
2011.11.21 TW 1001425981.一种具有导电性类金刚石层的发光二极管，包括: 一基材； 一半导体外延多层复合结构，设置于该基材上，该半导体外延多层复合结构包含:一第一半导体外延层、以及一第二半导体外延层，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置； 一绝缘性类金刚石层，覆盖该半导体外延多层复合结构的部分表面； 一第一电极，与该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层电性连接；以及 一第二电极，与该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层电性连接。2.如权利要求1所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该半导体外延多层复合结构包含:一活性中间层，夹置于该第一半导体外延层与该第二半导体外延层之间。3.如权利要求1所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该第一电极覆盖该绝缘性类金刚石层，且设置于该基材与该半导体外延多层复合结构之间。4.如权利要求 3所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该绝缘性类金刚石层夹置于该半导体外延多层复合结构与该第一电极之间。5.如权利要求1所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该第一半导体外延层以及该第一电极为P型，该第二半导体外延层以及该第二电极为N型。6.如权利要求1所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该第一电极是由导电性类金刚石所构成。7.如权利要求6所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该导电性类金刚石是类金刚石/金属多层复合结构、含金属的类金刚石混合物或石墨化的类金刚石。8.如权利要求7所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该金属选自由钛、钨、铬以及钥所组群组的至少一种。9.如权利要求1所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该基材的材质是金属、金属与陶瓷的混合物、或金属与金刚石的混合物。10.如权利要求1所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，包括一反射层，设置于该第一电极与该半导体外延多层复合结构之间。11.如权利要求10所述具有导电性类金刚石层的发光二极管，其中，该反射层的材质是选自由:铝、银、镍、钴、钯、钼、金、锌、锡、锑、铅、铜、铜银及镍银所组群组的至少一种。12.—种具有导电性类金刚石层的发光二极管的制备方法，包括步骤: 提供一暂时基板； 于该暂时基板上形成一半导体外延多层复合结构，其中，该半导体外延多层复合结构包含:一第一半导体外延层、以及一第二半导体外延层，且该第一半导体外延层与该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋健民，甘明吉，
申请(专利权)人：铼钻科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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