发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件制造技术

本发明专利技术涉及有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，本发明专利技术提供一种发光二极管组件，发光二极管组件倒覆于一封装基板并与其电性连接，而形成覆晶式发光二极管封装组件。发光二极管组件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一奥姆接触层及一平坦缓冲层，奥姆接触层提升第二型掺杂层与反射层间的奥姆接触特性，而且不影响发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件的发光效率。平坦缓冲层设置于奥姆接触层与反射层之间，可平整奥姆接触层，使反射层可平整地附着于平坦缓冲层，可使反射层达到镜面反射的效果，并减少反射光源产生散射的现象。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件
本专利技术涉及有一种发光二极管组件，特别是指一种具有良好的奥姆接触特性及良好的发光效率的发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件。
技术介绍
电能为现今不可或缺的能源之一，举凡照明装置、家庭电器、通讯装置、交通传输、或是工业设备等，若缺乏电能将无法运作。而目前全球的能源多半是利用燃烧石油或是煤等，而石油或煤并不是取的不尽的，若不积极的寻找替代能源，等到石油或煤耗尽时，全球将陷入能源危机。为了因应目前的能源危机，除了积极开发各式的再生能源之外，必须节约使用能源，并且有效的使能源，以让能源的使用效率提升。以照明设备为例，照明设备为人类生活中不可或缺，随着技术的发展，具有更好照度及更省电的照明工具也逐渐应运而生。目前一种新兴的照明光源为发光二极管。发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)与传统光源比较，发光二极管是具有体积小、省电、发光效率佳、寿命长、操作反应速度快、且无热辐射与水银等有毒物质的污染等优点，因此近几年来，发光二极管的应用面已极为广泛。过去由于发光二极管的亮度还无法取代传统的照明光源，但随着技术领域的不断提升，目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管组件，其特征在于，是包含：一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上；一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层。

【技术特征摘要】
2011.11.29 TW 1001438301.一种发光二极管组件，其特征在于，是包含：一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上；一反射层，配置于该平坦缓冲层上，其中该发光层位于该组件基板与该反射层之间，且该发光层所发出的部分光源穿透该奥姆接触层与该平坦缓冲层而被该反射层反射；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层，其中该平坦缓冲层与该反射层相接的表面的均方根粗糙度小于奥姆接触层的表面的粗糙度。2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该反射层通过该平坦缓冲层达镜面反射的效果。3.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该第一型掺杂层为N型半导体层，该第二型掺杂层为P型半导体层。4.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该奥姆接触层为一金属薄膜或是一金属氧化物层。5.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该奥姆接触层的光穿透率高于90％。6.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该奥姆接触层的厚度是小于5000埃米7.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该平坦缓冲层为一光穿透率高于95％的金属氧化物层。8.如权利要求7所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗玉云，吴志凌，黄逸儒，林子旸，李允立，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：