半导体发光元件制造技术

能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光元件。
技术介绍
一般地，作为半导体发光元件，已知的构造为在基板上层叠成为接触层的η型半导体层、η型熔覆层、活性层、P型熔覆层和成为接触层的P型半导体层，并相对于成为接触层的η型半导体层和P型半导体层，分别形成成为欧姆电极的η电极和P电极。在这样的半导体发光元件中，当从P型半导体层一侧取出光时，作为P电极，一般采用具有高透过率的ITO (铟锡氧化物)。但是，该ITO由于低的欧姆性，因此，仅仅用ITO难以制作特性好的器件。因此，为了具备良好的接触特性、透过性，提出了在ITO和接触层之间设置由In、Sn以外的金属构成的金属氧化物层(例如，参照特开2001-196633号公报)。但是，在上述特开2001-196633号公报中，由于夹着金属氧化物层的区域而存在ΙΤ0，因此，实际上不能发挥ITO本来的透过率。此外，由于采用ITO以外的金属的氧化物，因此，蚀刻条件与ITO不同，存在加工过程复杂的问题。
技术实现思路
本专利技术正是考虑上述问题而提出的，其目的在于提供具备欧姆性和透过性尽可能好的P电极的半导体发光元件。根据本专利技术的第I方式的半导体发光元件，其特征在于，具备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；p型半导体层；在上述n型半导体层与上述p型半导体层之间形成的发光的活性层；p电极，其与上述p型半导体层接触，并包括氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层和与上述第1导电性氧化物层接触且氧含有率比上述第1导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层；以及与上述n型半导体层电连接的n电极。

【技术特征摘要】
2008.12.25 JP 329619/20081.一种半导体发光元件，包括: η型半导体层； P型半导体层； 在上述η型半导体层与上述P型半导体层之间形成的发光的活性层； P电极，其与上述P型半导体层接触，并包括氧含有率小于40原子％的第I导电性氧化物层和与上述第I导电性氧化物层接触且氧含有率比上述第I导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层；以及 与上述η型半导体层电连接的η电极。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第I导电性氧化物层至少包含一个从In、Zn、Sn、N1、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的组中选择的元素。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第I导电性氧化物层的接触电阻小于 I X 10 2 Ω.cm2。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第I导电性氧化物层的膜厚度在IOnm以上且IOOnm以下。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第2导电性氧化物层的透过率比上述第I导电性氧化物层的透过率高。6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，还包括:基板，在其上形成有上述η型半导体层，其中，上述基板是蓝宝石基板或者半导体基板。7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第I导电性氧化物层的膜厚度在30nm以上。8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，上述第I导电性氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：村本卫司，布上真也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：