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半导体发光元件制造技术
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文档序号:8791934
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能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备:基板;在基板上设置的n型半导体层;在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层;在活性层上设置的p型半导体层;在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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