DRAM自刷新方法技术

本发明专利技术提供一种DRAM自刷新方法，主要解决了现有DRAM在进行自刷新时，仅刷新存储单元存储数据而不进行读写操作从而导致了历史噪声对单元的影响以及DM对ECC的限制的问题。该DRAM自刷新方法包括以下步骤：1]对存储单元中的字线进行激活；2]读出激活的字线上的数据和监督位，并通过解码判断字线上的数据和监督位是否存在错误，若不存在错误，则进行下个字线的激活，若存在错误，则进行错误纠正，并将纠正后的正确数据写回存储单元中，然后进行下个字线的激活。本发明专利技术提供的DRAM自刷新方法可在字线被激活的时间里同时进行读写操作，进行读写操作的次数取决于字线的激活时间和工作频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种DRAM自刷新方法，该方法主要用于在DRAM自刷新时消除历史噪声的影响并实现纠错的功能。
技术介绍
DRAM中单个存储单元(the single cell)出错不是因为长的刷新(refresh)时间，更多的是由于在长时间工作下，工作模型或历史噪声产生的拓扑导致的错误，因此，历史噪声(从某方面来说，比如相邻单元的拓扑等)非常严重的。在DRAM自刷新(SRF)的时候，每次一根字线(word line)被激活并保持一定时间的激活状态。在传统的方法里，自刷新的时候只会刷新存储单元存储的数据，不进行读写操作，从而导致无法用ECC判断存储的数据是否正确(如果要用ECC进行判断，需要读写操作)，也无法进行纠正。
技术实现思路
本专利技术提供一种DRAM自刷新方法，主要解决了现有DRAM在进行自刷新时，仅刷新存储单元存储数据而不进行读写操作从而导致了历史噪声对单元的影响以及DM对ECC的限制的问题。本专利技术的具体技术解决方案如下:该DRAM自刷新方法包括以下步骤:I]对存储单元中的字线进行激活；2]读出激活的字线上的数据和监督位，并通过解码判断字线上的数据和监督位是否存在错误，若不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DRAM自刷新方法，其特征在于，包括以下步骤：1]对存储单元中的字线进行激活；2]读出激活的字线上的数据和监督位，并通过解码判断字线上的数据和监督位是否存在错误，若不存在错误，则进行下个字线的激活，若存在错误，则进行错误纠正，并将纠正后的正确数据写回存储单元中，然后进行下个字线的激活。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：