基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列以及其操作方法技术

本发明专利技术涉及存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列结构，及其操作方法。本发明专利技术包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线连接到所述晶体管的漏极；源线连接到所述晶体管的源极；其中，读管201起到选通、限流的作用，202为编程部件，203为位线，204为201的字线，205为编程字线。栅极具有高阻、低阻不同状态，之间转变可逆，在位线和字线间施加一定电压，会有不同大小的电流。本发明专利技术解决了传统的1T1C?DRAM单元的困难以及与标准CMOS工艺兼容性较差的问题，可以与标准逻辑的CMOS?HfOx?high?k?metal?gate技术兼容。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线，连接到所述晶体管的漏极；源线，连接到所述晶体管的源极；其特征在于，所述的存储单元中，包括读管(201)，起到选通、限流的作用，编程部件(202)，位线(203)，(204)代表(201)的字线，即读字线，(205)代表编程字线，栅极(206)使用具有阻变特性材料，如HfOx。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，李慧，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：