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本发明提供一种DRAM自刷新方法，主要解决了现有DRAM在进行自刷新时，仅刷新存储单元存储数据而不进行读写操作从而导致了历史噪声对单元的影响以及DM对ECC的限制的问题。该DRAM自刷新方法包括以下步骤：1]对存储单元中的字线进行激活；2]...
该专利属于西安华芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安华芯半导体有限公司授权不得商用。

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