镀膜装置制造方法及图纸

一种镀膜装置，该镀膜装置包括磁性部件、固定部及一离子源，该离子源可溅射出用于镀膜的离子，该工件固定于该固定部上，该磁性部件与该离子源以待镀膜的工件为中心相对设置，与待镀膜工件之间形成一指向待镀膜工件的旋转聚焦加速磁场，用于引导离子向工件方向飞溅。从而克服了因具有弧面曲率不同结构的工件，其存在的端面和弧面曲面部位所形成尖端放电，导致离子镀膜困难的问题。

【技术实现步骤摘要】
镀膜装置
本专利技术涉及一种镀膜装置，尤其涉及一种对具有不同弧面曲率的工件进行镀膜的镀膜装置。
技术介绍
在物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）的过程中，靶材原子或离子沉积在基材上成膜，但是因为具有不同弧面曲率的工件特殊的结构和形状，如常规镀膜方式难以实现的具有弧面结构的小尺寸工件，在进行离子镀膜时，由于上述具有不同弧面曲率的工件具有弧面和曲部位，导致该类工件表面通常曲率较大，因此，电荷极易在尖端和端面位置聚集，产生尖端放电，改变了该类工件表面的磁场强度分布，使得对该类工件进行离子镀膜的困难较大，直接影响了产品的镀膜品质和良率。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能对具有不同弧面曲率的工件进行镀膜的镀膜装置。一种镀膜装置，该镀膜装置包括磁性部件、固定部及一离子源，该离子源可溅射出用于镀膜的离子，该工件固定于该固定部上，该磁性部件与该离子源以待镀膜的工件为中心相对设置，与待镀膜工件之间形成一指向待镀膜工件的旋转聚焦加速磁场，用于引导离子向工件方向飞溅。本专利技术利用安装在该镀膜装置中承载台上的磁性部件产生一均匀有规律的旋转聚焦磁场，镀膜的飞溅离子在磁场作用下加速向工件聚焦并沉积在工件上，从而克服了因具有不同弧面曲率结构的工件存在的端面和弧面曲面部位所形成尖端放电，导致离子镀膜困难的问题。附图说明图1是本专利技术一较佳实施例镀膜装置示意图。图2是本专利技术另一较佳实施例镀膜装置示意图。图3是对图1、2较佳实施例镀膜装置的俯视图。主要元件符号说明镀膜装置100磁性部件10固定部20离子源30离子31工件40如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式参见图1，本专利技术第一较佳实施例提供了一种镀膜装置100，用于对工件40进行真空离子镀膜，该待镀膜的工件40优选的为具有弧度曲面的长条形工件。该镀膜装置100包括磁性部件10、固定部20及一离子源30，该离子源30可溅射出用于镀膜的离子31，该工件40固定于该固定部20上，该磁性部件10与该离子源30以待镀膜的工件40为中心相对设置。请参见图1及图2，该固定部20为一固定工件40的转架，其转架下部设有固定杆22，待镀膜的工件40固定于该固定杆22上。请参见图1，该磁性部件10固定于一圆盘12上，该磁性部件10上设有一磁体，分别为N极和S极，该磁性部件10可以该圆盘的圆心为中心旋转，通过对该磁性部件10通电，并在圆盘12旋转的过程中，该磁性部件10可从N极到S极产生均匀的磁场F。请参见图2，本专利技术的另一优选的实施例中，该磁性部件10包括一产生磁场的螺旋状的磁力线圈14，该磁力线圈14同样固定在一个可旋转的圆盘12上，通过该磁力线圈14通电，其可产生一个均匀的磁场F。请参见图1及2，与该磁性部件10相对设有一离子源30，其可在镀膜时提供镀膜离子31，该离子源30与工件40之间设有偏压电源（未图示），可在离子源30和工件40之间施加偏压电压，使得离子源30溅射出的离子31向工件40的方向运动。请参见图3，在使用该镀膜装置100时，包括如下基本步骤：开启镀膜装置100，对该磁性部件10通电，使磁性部件10与工件40之间产生一聚焦磁场F，从镀膜装置100中的溅射出的离子31可在所述聚焦磁场F的作用下，被该聚焦磁场F引导并加速聚焦沉积于待镀膜的工件40表面。上述操作步骤和原理详述如下：在开启镀膜装置100开始镀膜作业时，该镀膜装置100中的离子源30为正极，该待镀膜的工件40为负极，并由连接于离子源30与工件40之间的横向加速电源（未图示）供电，该固定于固定杆22上的工件40在固定部20的旋转中同时转动，该镀膜装置100中的磁性部件10自转，由此在磁性部件10与工件40之间形成一指向待镀膜的工件40的旋转的聚焦加速磁场F。该加速磁场F可引导靶材离子31飞溅到该待镀膜的工件40表面上，以实现对待镀膜的工件40镀膜。即在该磁场力F作用下离子31产生一指向工件的与磁力线切线方向的速度V1和磁力线接近垂直的速度V2，离子在横向速度分量和竖直分量的综合作用下，以“类平抛”运动速度V运动并沉积在工件上。当离子越靠近工件40，由于所处磁场的磁场线越分布密集，磁场强度越大，离子31所受磁场力就越大，离子会以不断增加的加速度沉积于工件40表面之上。相较现有技术，本专利技术利用安装在该镀膜装置100中磁性部件10，产生一指向工件40的旋转聚焦磁场F，待镀膜的飞溅离子31在磁场F作用下加速向工件40准确地聚焦并沉积在工件40上，从而克服了因具有弧面曲率不同结构的工件40，其存在的端面和弧面曲面部位所形成尖端放电，导致离子镀膜困难的问题。另，本专利技术通过设置磁性部件10在工件40附近产生一聚焦旋转磁场F，加速沉积速度，大幅提高膜层与工件40的结合力。而且加工成本低廉，适合大规模量产。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镀膜装置，其特征在于：该镀膜装置包括磁性部件、固定部及一离子源，该离子源可溅射出用于镀膜的离子，该固定部用以固定一待镀膜工件，该磁性部件与该离子源以待镀膜的工件为中心相对设置，与待镀膜工件之间形成一指向待镀膜工件的旋转聚焦加速磁场，用于引导离子向工件方向飞溅。

【技术特征摘要】
1.一种镀膜装置，其特征在于：该镀膜装置包括磁性部件、固定部及一离子源，该离子源可溅射出用于镀膜的离子，该固定部用以固定一待镀膜工件，该磁性部件与该离子源以待镀膜的工件为中心相对设置，与待镀膜工件之间形成一指向待镀膜工件的旋转聚焦加速磁场，用于引导离子向工件方向飞溅，该固定于固定杆上的工件在固定部的旋转中同时旋转，该镀膜装置中的磁性部件自转，由此在磁性部件与工件之间形成一指向待镀膜的工件的旋转的聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄登聪，彭立全，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：