【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁记录薄膜的制备方法，特别是提供了一种利用记忆合金基底的大弹性应变对磁性颗粒的晶格取向的调控作用，提高磁记录薄膜的剩磁比的方法。
技术介绍
近六十年来，硬盘的面密度逐年成指数形式增长，这与磁记录介质材料和磁头材料的发展密切相关。磁记录介质由最初的铁氧体材料发展到钴基合金薄膜材料，进而发展到下一代薄膜材料，如具有高磁晶各向异性的铁钼FePt合金薄膜或衫钴SmCo合金薄膜。这些薄膜应用于磁记录介质所遇到的一个实际问题是:直接沉积在玻璃基片或硅基片的上述磁性薄膜，其剩磁比(薄膜的剩余磁化强度与饱和磁化强度的比值)较低，导致介质的存储信号强度较低，因此对读出磁头的灵敏度提出来非常高的要求，这并不利于实现超高密度磁记录。所以，提高上述磁记录薄膜的剩磁比对于提高磁记录面密度具有非常重要的意义。目前，在提高FePt合金薄膜的剩磁比方面，国际上一般通过加入合适的底层如Au来诱导晶粒单方向生长[C.Feng, et al.Appl.Phys.Lett.93，152513 (2008)]，或在退火时加磁场以控制晶粒的磁畴沿同一方向排列[H.Y.Wang, et al....
【技术保护点】
一种利用大弹性应变提高磁记录薄膜的剩磁比的方法，其特征为：在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子，沉积完毕后，加热基底至适当的温度，保持适当的时间后，产生大弹性应变，最后，冷却至室温即可。
【技术特征摘要】
1.一种利用大弹性应变提高磁记录薄膜的剩磁比的方法，其特征为:在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子，沉积完毕后，加热基底至适当的温度，保持适当的时间后，产生大弹性应变，最后，冷却至室温即可。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:该方法的具体过程为:利用磁控溅射方法，在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子，所述的记忆合金基底的预拉伸应变量或产生的弹性应变压缩量为1.5%飞％，溅射室的本底真空度为优于5X 10_5 Pa，溅射时，氩气压为0.4 1.2 Pa，沉积得到的FePt原子层的厚度为50 200 A，Ta原子层的厚度为50 200...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯春，李许静，于广华，李明华，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。