制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层制造技术

技术编号:8761466 阅读:192 留言:0更新日期:2013-06-06 23:09
本发明专利技术提供一种制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层。此设备包括一基座、一工件架、若干个中频磁控靶及若干个多弧离子靶。基座包括一腔体。工件架设于腔体中且与若干个转轴活动性地连接,各转轴系包括至少一治具,治具放置至少一IC。各中频磁控靶及各多弧离子靶设于腔体中,中频磁控靶及多弧离子靶用以将一金属材料溅镀于IC上,藉此于IC的一表面形成至少一金属屏蔽膜层。本发明专利技术还提供一种IC的金属屏蔽膜层,其包括利用所述制造IC屏蔽镀膜的设备于一IC的一表面上制成的至少一金属屏蔽膜层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造IC屏蔽镀膜的设备,其包括:一基座,其包括一腔体;一工件架,设于所述腔体中,所述工作架与若干个转轴活动性地连接,各所述转轴包括至少一治具,所述治具放置至少一IC;以及若干个中频磁控靶及若干个多弧离子靶,所述中频磁控靶及所述多弧离子靶设于所述腔体中,所述中频磁控靶及所述多弧离子靶用以将一金属材料溅镀于所述IC上,藉此于所述IC的一表面形成至少一金属屏蔽膜层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:柳朝纶邱耀弘范淑惠
申请(专利权)人:晟铭电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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