一种镀膜设备及靶材制造技术

本实用新型专利技术提供一种镀膜设备及靶材，其中镀膜设备包括：腔体和靶材；所述靶材为位于所述腔体内部的平行设置的至少两个靶材；所述腔体具有位于任意两行靶材之间的反应气体输入口。本实用新型专利技术的方案可以使反应气体分布均匀，从而使基板上的膜层厚度均匀。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光学器件制造工具
，特别是指一种镀膜设备及靶材。
技术介绍
近年来，在微电子，光学薄膜和材料表面处理领域中，磁控溅射技术作为一种有效的薄膜沉积方法，被普遍应用于薄膜沉积和表面覆盖层制备，在工业生产和科学研究领域发挥了巨大作用。磁控溅射生成的薄膜厚度的均匀性是成膜的一项重要指标，在溅射镀膜中，由于腔体入口只有一个，在氧化物半导体的制作中，从该腔体入口进入的氧气通过靶材进行镀膜时，导致所镀膜层厚度不能成理想的均匀分布。现有技术中的镀膜装置如图1、2和3所示，其中图1是现有的该镀膜装置的立体结构示意图，图2是正视图，图3是俯视图；图中溅射源由腔体21和靶材22组成，靶材22为一长方体靶材；靶材22位于腔体21内部，腔体21的底部开口正对着待镀膜的基板11，腔体21还具有一氧气(O2)输入口 23，溅射出的材料沉积在位于靶前的基板11上。通过上述结构的镀膜装置对基板进行镀膜时，由于腔体21的氧气输入口 23只有一个，因此，造成反应气体分布不均匀，从而使基板上的膜层厚度不均匀。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种镀膜设备及靶材，可以使反应气体分布均匀，从而使基板上的膜层厚度均匀。为解决上述技术问题，本技术的实施例提供一种镀膜设备，包括:腔体和靶材；所述靶材为位于所述腔体内部的平行设置的至少两个靶材；所述腔体具有位于任意两行靶材之间的反应气体输入口。其中，所述靶材为长方体形、圆柱体形或者正方体形。其中，所述靶材为正方体形时，所述腔体的位于任意两个靶材之间的位置还设置有反应气体输入口。其中，所述腔体的底部具有正对待镀膜的基板的开口。其中，所述反应气体为氧气。其中，镀膜设备还包括:控制所述靶材旋转速度的控制装置。本技术还提供一种靶材，包括:平行设置的至少两个靶材。其中，所述靶材为长方体形、圆柱体形或者正方体形。本技术的上述技术方案的有益效果如下:上述方案中，通过将靶材设置成位于所述腔体内部的平行设置的至少两个靶材；所述腔体具有位于任意两行靶材之间的反应气体输入口，从而使通过所述反应气体输入口进入腔体内的反应气体均匀分布，并进而使基板上的膜层厚度均匀。附图说明图1为现有技术中镀膜装置的立体结构示意图；图2是图1所示的镀膜装置的正视图；图3是图1所示的镀膜装置的俯视图；图4为本技术的镀膜装置的靶材为长方体形的立体结构示意图；图5为图4所示的镀膜装置的正视图；图6为图4所示的镀膜装置的俯视图；图7为靶材为正方体形的正视图。具体实施方式为使本技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图4 一图6所示，本技术的实施例提供一种镀膜设备，包括:腔体41和靶材42 ;所述靶材42为位于所述腔体41内部的平行设置的至少两个靶材；所述腔体41具有位于任意两行靶材之间的反应气体输入口 43 ;其中，所述靶材42可以为长方体形；所述腔体41的底部正对待镀膜的基板31。所述反应气体可以为氧气(O2)等反应性气体。上述镀膜设备还包括:控制所述靶材旋转速度的控制装置。上述实施例中，通过将靶材42设置为平行设置的至少两个长方体形的靶材，并可以通过两个长方体形的靶材之间的纵向入口或者横向入口处设置反应气体输入口 43，并通过控制装置控制靶材42以纵向轴或者横向轴进行旋转，从而可以使反应气体通过反应气体输入口 43在单位体积内分布均匀化，从而使沉积在基板31上的材料分布均匀，进而使基板31的膜层厚度均匀。本技术的另一实施例中，靶材42还可以为圆柱体形；该实施例中，同样通过将靶材42设置为平行设置的至少两个圆柱体形的靶材，并可以通过两个圆柱体形的靶材之间的纵向入口或者横向入口处设置反应气体输入口 43，并通过控制装置控制靶材42以纵向轴或者横向轴进行旋转，从而可以使反应气体通过反应气体输入口 43在单位体积内分布均匀化，从而使沉积在基板31上的材料分布均匀，进而使基板31的膜层厚度均匀。如图7所示，本技术的又一实施例中，靶材42还可以为正方体形，该实施例中，同样通过将靶材42设置为平行设置的至少两个正方体形的靶材，并可以通过两行正方体形的靶材或者任意两个正方体形的靶材之间的纵向入口或者横向入口处设置反应气体输入口 43，从而可以使正方体形的靶材的四方均可以喷射反应气体，并通过控制装置控制靶材42以纵向轴或者横向轴进行旋转，从而可以使反应气体通过反应气体输入口 43在单位体积内分布均匀化，从而使沉积在基板31上的材料分布均匀，进而使基板31的膜层厚度均匀。上述各个实施例中，平行设置的长方体形、圆柱体形或者正方体形的靶材的旋转，可以单独控制。本技术的实施例还提供一种靶材，包括:平行设置的至少两个靶材。其中，所述靶材为长方体形、圆柱体形或者正方体形。以上所述是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。权利要求1.一种镀膜设备，包括:腔体和靶材；其特征在于， 所述靶材为位于所述腔体内部的平行设置的至少两个靶材； 所述腔体具有位于任意两行靶材之间的反应气体输入口。2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述靶材为长方体形、圆柱体形或者正方体形。3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述靶材为正方体形时，所述腔体的位于任意两个靶材之间的位置还设置有反应气体输入口。4.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述腔体的底部具有正对待镀膜的基板的开口。5.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述反应气体为氧气。6.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括:控制所述靶材旋转速度的控制装置。7.—种靶材，其特征在于，包括:平行设置的至少两个靶材。8.根据权利要求7所述的靶材，其特征在于，所述靶材为长方体形、圆柱体形或者正方体形。专利摘要本技术提供一种镀膜设备及靶材，其中镀膜设备包括腔体和靶材；所述靶材为位于所述腔体内部的平行设置的至少两个靶材；所述腔体具有位于任意两行靶材之间的反应气体输入口。本技术的方案可以使反应气体分布均匀，从而使基板上的膜层厚度均匀。文档编号C23C14/35GK202954086SQ20122065737公开日2013年5月29日 申请日期2012年12月3日 优先权日2012年12月3日专利技术者金原奭, 金永珉, 金珌奭 申请人:京东方科技集团股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镀膜设备，包括：腔体和靶材；其特征在于，所述靶材为位于所述腔体内部的平行设置的至少两个靶材；所述腔体具有位于任意两行靶材之间的反应气体输入口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金原奭，金永珉，金珌奭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：