感光性非电解镀基底剂制造技术

技术编号:15342561 阅读:109 留言:0更新日期:2017-05-17 00:11
本发明专利技术提供对环境友好,可以以少的工序数简便地处理,并且能够通过光刻容易形成数μm宽度这样的微细的配线、作为非电解镀的前处理工序所使用的新的非电解镀基底剂。作为解决本发明专利技术课题的方法为一种感光性基底剂,是用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的基底剂,其包含:(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000~5,000,000的超支化聚合物、(b)金属微粒、(c)分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物、以及(d)光聚合引发剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光性非电解镀基底剂
本专利技术涉及包含超支化聚合物、金属微粒、聚合性化合物和光聚合引发剂的感光性基底剂。
技术介绍
近年来,伴随着个人电脑、便携电话、可穿戴终端等器件的小型化,为了图案的高密度化、在透明基板上形成透过率、可见性高的配线,要求容易形成微细配线图案的方法。形成微细配线的方法之一,公开了通过光刻将非电解镀催化剂进行图案形成后,实施非电解镀的方法(专利文献1)。具体而言,公开了下述方法:使用在感光性树脂中混合有成为非电解镀的催化剂的金属配位化合物、金属离子或金属胶体等的材料,通过隔着光掩模的UV曝光、显影,形成格子状等任意图案的基底,对其实施非电解镀,从而获得导电性图案的方法。此外,公开了通过作为非电解镀基底剂,使用包含具有铵基的超支化聚合物和Pd微粒的组合物,从而不经由涂布后活化工序而仅直接浸渍于非电解镀液就形成非电解镀层的例子(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平11-170421号公报专利文献2:国际公开第2012/141215号小册子
技术实现思路
专利技术所要解决的课题上述专利文献1中,作为金属胶体的稳定剂,使用了PVP等保护胶体、十二烷基苯磺酸等表面活性剂等,但不仅担忧由保护胶体的分解、金属胶体的凝集等引起的清漆的稳定性,而且在工艺中,显影时催化剂的洗涤困难的情况多。此外,在非电解镀时,在目标部分以外镀层析出也成为问题。进一步,由于使用水溶性的抗蚀剂、金属稳定剂,因此图案的模糊、线变粗等图案形状的保持成为问题。在该专利文献中,仅对所得的透明导电膜的透过率和电阻值进行了讨论,对所得的图案的线宽(形状)没有详细提及。此外,对于液晶显示元件等所使用的透明电极,要求图像的可见性。然而,在通过非电解镀形成金属配线的情况下,所形成的金属被膜具有金属光泽,其反射外部光,因此存在制造金属配线不引人注目而图像可见性高的清楚的显示装置困难这样的问题。因此,在通过非电解镀来形成透明电极的技术中,要求抑制所形成的金属镀被膜的背面(透明基材面)中的黑色化所引起的金属光泽。因此本专利技术着眼于这样的课题,目的在于提供对环境友好,可以以少的工序数简便地处理,并且能够通过光刻容易形成数μm宽度这样的微细的配线、作为非电解镀的前处理工序所使用的新的非电解镀基底剂。用于解决课题的方法本专利技术人等为了实现上述目的而进行了深入研究,结果发现,将分子末端具有铵基的超支化聚合物、金属微粒组合,进而在其中组合特定的聚合性化合物和光聚合引发剂来获得感光性基底剂,将其涂布于基材上而得的层能够通过光刻来形成图案,获得图案化了的非电解金属镀的基底层;该基底层的镀敷性优异,成为对金属镀膜与被镀基材的密合性的提高而言有用的层。进一步,在将该图案化了的非电解金属镀的基底层形成于玻璃等透明基材上,在其上形成金属镀被膜时,镀敷被膜形成部分的背面呈现黑色,从而完成了本专利技术。即,本专利技术中,作为第1观点,涉及一种感光性基底剂,是用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的基底剂,其包含:(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000~5,000,000的超支化聚合物,(b)金属微粒,(c)分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物,以及(d)光聚合引发剂。作为第2观点,涉及第1观点所述的感光性基底剂,上述(c)聚合性化合物为分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基且具有氧亚烷基的化合物。作为第3观点,涉及第1观点或第2观点所述的感光性基底剂,其进一步包含(e)分子内具有1个或2个(甲基)丙烯酰基的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。作为第4观点,涉及第1观点~第3观点中的任一项所述的感光性基底剂,上述(a)超支化聚合物为式[1]所示的超支化聚合物。(式中,R1各自独立地表示氢原子或甲基,R2~R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1~20的直链状、分支状或环状的烷基、碳原子数7~20的芳基烷基或-(CH2CH2O)mR5,(式中,R5表示氢原子或甲基,m表示2~100的整数),(该烷基和芳基烷基可以被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代),或者R2~R4中的2个基团连在一起而表示直链状、分支状或环状的亚烷基,或者R2~R4以及它们所结合的氮原子可以连在一起而形成环,X-表示阴离子,n为重复单元结构数,表示5~100,000的整数,A1表示式[2]所示的结构。)(式中,A2表示可以包含醚键或酯键的碳原子数1~30的直链状、分支状或环状的亚烷基,Y1~Y4各自独立地表示氢原子、碳原子数1~20的烷基、碳原子数1~20的烷氧基、硝基、羟基、氨基、羧基或氰基。)作为第5观点,涉及第4观点所述的感光性基底剂,上述(a)超支化聚合物为式[3]所示的超支化聚合物。(式中,R1~R4和n表示与上述相同的含义。)作为第6观点,涉及第1观点~第5观点中的任一项所述的感光性基底剂,上述(b)金属微粒为选自铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、锡(Sn)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种金属的微粒。作为第7观点,涉及第6观点所述的感光性基底剂,上述(b)金属微粒为钯微粒。作为第8观点,涉及第1观点~第7观点中的任一项所述的感光性基底剂,上述(b)金属微粒为具有1~100nm的平均粒径的微粒。作为第9观点,涉及第1观点~第8观点中的任一项所述的感光性基底剂,其能够通过光刻来形成图案。作为第10观点,涉及一种非电解镀基底层,其是通过将第1观点~第9观点中的任一项所述的感光性基底剂形成层,将该层进行光刻而获得的。作为第11观点,涉及一种金属镀膜,其是通过对第10观点所述的非电解镀基底层进行非电解镀而在该基底层上形成的。作为第12观点,涉及一种金属被膜基材,其具备:基材;在该基材上形成的第10观点所述的非电解镀基底层;以及在该非电解镀基底层上形成的第11观点所述的金属镀膜。作为第13观点,涉及一种金属被膜基材的制造方法,其包含下述A工序~C工序。A工序:将第1观点~第9观点中的任一项所述的感光性基底剂涂布在基材上,具备基底层的工序,B工序:通过光刻形成所期望的图案的基底层的工序,C工序:将具备经图案形成的基底层的基材浸渍于非电解镀浴中,形成金属镀膜的工序。专利技术的效果本专利技术的感光性基底剂可以通过涂布于基材上,隔着掩模实施光刻,从而容易形成图案化了的非电解金属镀的基底层。此外,本专利技术的感光性基底剂,即使不形成以往为了提高与金属镀膜的密合性而在基材上形成的底涂剂层,也可以形成与基材的密合性优异的基底层。进一步,本专利技术的感光性基底剂可以形成μm级的图案化了的镀敷基底层,也可以适合用于各种配线技术。此外,由本专利技术的感光性基底剂形成的非电解金属镀的基底层仅浸渍于非电解镀浴中,就可以容易地形成金属镀膜,可以容易地获得具备基材、基底层、以及金属镀膜的金属被膜基材。而且,上述金属镀膜与下层的基底层的密合性优异。即,通过使用本专利技术的感光性基底剂在基材上形成基底层,从而可以说可形成与基材的密合性优异的金属镀膜。进一步,在本专利技术的上述感光性基底剂上形成金属镀膜时,其背面呈现黑色,因此将它们形成于玻璃基板等透明基材上时,可以期待作为图像可见性高的透明电极的使用。附图说明图1为表示由制造例1制造的分子末端具有氯原子的超支化聚合物(HPS-Cl)的1HNMR光谱的图。本文档来自技高网...
感光性非电解镀基底剂

【技术保护点】
一种感光性基底剂,是用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的基底剂,其包含:(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000~5,000,000的超支化聚合物,(b)金属微粒,(c)分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物,以及(d)光聚合引发剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 JP 2014-1814971.一种感光性基底剂,是用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的基底剂,其包含:(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000~5,000,000的超支化聚合物,(b)金属微粒,(c)分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物,以及(d)光聚合引发剂。2.根据权利要求1所述的感光性基底剂,所述(c)聚合性化合物为分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基且具有氧亚烷基的化合物。3.根据权利要求1或2所述的感光性基底剂,其进一步包含(e)分子内具有1个或2个(甲基)丙烯酰基的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。4.根据权利要求1~3中的任一项所述的感光性基底剂,所述(a)超支化聚合物为式[1]所示的超支化聚合物,式中,R1各自独立地表示氢原子或甲基,R2~R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1~20的直链状、分支状或环状的烷基、碳原子数7~20的芳基烷基或-(CH2CH2O)mR5,式中,R5表示氢原子或甲基,m表示2~100的整数,该烷基和芳基烷基可以被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代,或者R2~R4中的2个基团连在一起而表示直链状、分支状或环状的亚烷基,或者R2~R4以及它们所结合的氮原子可以连在一起而形成环,X-表示阴离子,n为重复单元结构数,表示5~100,000的整数,A1表示式[2]所示的结构,式中,A2表示可以包含醚键或酯键的碳原子数1~30的直链状、分支状或环状的亚烷基,Y1~Y4...

【专利技术属性】
技术研发人员:小岛圭介
申请(专利权)人:日产化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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