4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将单晶4H-SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除单晶4H-SiC基体中杂质，采用预溅射清洗去除6LiF靶材的杂质；以6LiF靶材作为磁控靶在单晶4H-SiC基体上溅射沉积6LiF涂层；溅射清洗和溅射沉积均以氩气为起辉气体；磁控溅射沉积6LiF涂层达设计厚度，反应磁控溅射镀膜真空炉内的真空度调整至不低于10-3Pa自然冷却后出炉，即得到在4H-SiC基体上沉积的6LiF涂层转换膜。本发明专利技术得到的4H-SiC/6LiF转换膜层，具有较体积小、探测效率高、耐辐照损伤、耐高温以及n/γ甄别能力强等优点，制备工艺操作简单，且厚度可控。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种4H?SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法，其特征在于主要包含以下步骤：a、将作为衬底材料的单晶4H?SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗，充分清洗后取出干燥待用；b、将步骤a清洗后的单晶4H?SiC基体和作为磁控靶的6LiF靶材置入反应磁控溅射镀膜真空炉内，采用偏压反溅射清洗去除单晶4H?SiC基体中杂质，采用预溅射清洗去除6LiF靶材的杂质，偏压反溅射清洗和预溅射清洗起辉气体均为氩气，所述氩气的流量为150~200Sccm，偏压反溅射清洗和预溅射清洗操作真空度绝对压强1.0~3.0Pa；c、在反应磁控溅射镀膜真空炉内，以步骤b预溅射清洗处理后的6LiF靶材作...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋勇，刘波，范晓强，吴健，雷家荣，李勐，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所，四川大学，
类型：发明
国别省市：