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本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将单晶4H-SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除单晶4H-SiC基体中杂质，采用预溅射清洗去除6LiF靶材的杂...该专利属于中国工程物理研究院核物理与化学研究所;四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院核物理与化学研究所;四川大学授权不得商用。