在辐射粒子探测器中的闪烁事件定位制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及辐射粒子探测器领域。其尤其应用于核成像系统，例如用于临床或探索研究的正电子发射断层摄影(PET)扫描器以及单光子发射计算机断层摄影(SPECT)扫描器。
技术介绍
在PET扫描器中，像素化闪烁体通常被用于将入射辐射粒子转换为具有UV或可见光谱中的波长的光子的爆发(burst)。闪烁体通常包括具有大约1x1mm2到4x4mm2的基础面积的闪烁体元件的矩阵。由被耦合到闪烁体元件的光传感器探测闪烁事件。技术发展水平的PET扫描器使用固态光传感器，例如硅光电倍增管(SiPM)，其通常包括被配置为响应于光子的撞击而击穿的单光子雪崩二极管(SPAD)的阵列。备选地，可以使用包括一大块闪烁体材料的单片闪烁体。单片闪烁体通常被耦合到光传感器的阵列，所述光传感器被配置为定位单片闪烁体内的不同闪烁体元件位置处的闪烁事件。能够被识别的闪烁体元件位置的尺寸是确定得到的图像的空间分辨率的主要因素。由此，小的闪烁体元件位置被期望，以增加分辨率。在对于更高分辨率的固态核成像系统的寻求中，Anger逻辑已经被用于获得优于单个光传感器的尺寸的分辨率。通过将闪烁体和光传感器与使发射的...
【技术保护点】
一种用于辐射粒子探测器(1)中的闪烁事件定位的方法，包括以下步骤：‑提供多个闪烁体元件位置(2、2’)，所述多个闪烁体元件位置被配置为响应于辐射粒子在所述闪烁体元件位置(2、2’)处被吸收而发射光子的爆发，‑利用光传感器(5)探测由闪烁体元件位置(2、2’)发射的光子的爆发，其中，所述光传感器(5)包括被配置为响应于光子的撞击而击穿的单光子雪崩二极管的阵列；‑采集指示所述单光子雪崩二极管中的哪些在击穿中的击穿数据(30)，‑提供将单光子雪崩二极管分配到组的预定光传感器敏感性数据(20、40)，其中，每个组被精确地分配到一个闪烁体元件位置(2、2’)，并且‑个体地确定针对每个...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.17 EP 15159432.21.一种用于辐射粒子探测器(1)中的闪烁事件定位的方法，包括以下步骤：-提供多个闪烁体元件位置(2、2’)，所述多个闪烁体元件位置被配置为响应于辐射粒子在所述闪烁体元件位置(2、2’)处被吸收而发射光子的爆发，-利用光传感器(5)探测由闪烁体元件位置(2、2’)发射的光子的爆发，其中，所述光传感器(5)包括被配置为响应于光子的撞击而击穿的单光子雪崩二极管的阵列；-采集指示所述单光子雪崩二极管中的哪些在击穿中的击穿数据(30)，-提供将单光子雪崩二极管分配到组的预定光传感器敏感性数据(20、40)，其中，每个组被精确地分配到一个闪烁体元件位置(2、2’)，并且-个体地确定针对每个组的在击穿中的单光子雪崩二极管的数量以识别发射所述光子的爆发的所述闪烁体元件位置(2、2’)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定光传感器敏感性数据(20、40)将所述单光子雪崩二极管中的至少一个分配到多于一个组。3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，通过利用辐射粒子精确地辐照所述闪烁体元件位置(2、2’)中的一个并且确定所述单光子雪崩二极管中的哪些在击穿中来生成所述光传感器敏感性数据(20、40)。4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述光传感器敏感性数据(20、40)包括针对每个组的一个光传感器敏感性模式(21、22、23、24、25、40.1)，其中，所述光传感器敏感性模式(21、22、23、24、25、40.1)将至少一个单光子雪崩二极管分配到所述组。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述光传感器敏感性数据(20、40)还包括针对虚拟组的虚拟光传感器敏感性模式，其中，所述虚拟组包括未被分配到其他组的列表中的一个特定组的所述光传感器的所有单光子雪崩二极管。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述击穿数据(30)响应于由光子的撞击生成的、任选地由积分时间延迟的触发信号而被采集。7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述击穿数据(30)在单光子雪崩二极管的所述阵列的部分中被采集，尤其是在所述阵列的行或列中被采集。8.一种用于执行根据前述权利要...
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