一种直列多靶磁控溅射镀膜装置制造方法及图纸

一种直列多靶磁控溅射镀膜装置，涉及溅射镀膜技术领域。系采用长宽比大于3的矩形溅射靶，在箱式真空室中，将3个以上的矩形溅射靶平行共轴排成一列，所有靶的宽度方向都平行于真空室的长边，靶间距小于矩形靶宽度的2倍。矩形溅射靶上方设置有直线运动结构，基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上，并在步进电机的驱动下沿真空室的长边作直线往复运动，直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置，从而实现单层、多层、周期性重复结构薄膜的制备。该多靶磁控溅射台具有真空室尺寸和靶的尺寸都较小，而所制备的薄膜的均匀面积较大的特点，并且还兼有抽气速度快、镀膜效率高等其他优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及溅射镀膜
，具体涉及一种多靶磁控溅射镀膜装置。
技术介绍
磁控溅射技术广泛用于制备各种光学、电子、机械等薄膜，在实际应用中，所需制备的薄膜往往是多层的、甚至是周期性排列的(如:超晶格薄膜)、需要在不破坏真空的条件下一次完成。因此，多靶溅射系统应运而生，它通过在真空室内以一定的方式放置多个靶，配以工件盘的适当运动，能够实现多个靶位的依次溅射甚至是共溅射。但是，在同一个真空室内安装多个靶，也不可避免地增大了真空室的容积，需要采用更大口径的真空泵，设备的成本大大增加。现有的多靶溅射台绝大多数采用圆形真空室和旋转基片架的几何配置，靶通常为2 4个，且多为平面圆形靶，按结构可分为以下几类:I)行星运动式:多个圆形靶均匀分布在真空室底板上方的同一个圆周上，I 6个圆形基片在该圆周的上方(也可有一定的偏心距)进行行星运动(即公-自转同步运动)，参见文献 Multilayer optical coating fabrication by dc magnetron reactivesputtering, SPIEj678:134，1986。2)公-自转分步运动式:靶和基片的几何布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直列多靶磁控溅射镀膜装置，包括1个真空室，真空室内设置有n个矩形溅射靶3、1个基片架、1个基片加热器、1个直线运动机构，真空室外具有1个步进电机；其特征在于，所述真空室为箱式真空室，n个矩形溅射靶相互平行并共轴排成一列，靶间距小于矩形靶宽度的2倍，所有矩形溅射靶的宽度方向都平行于真空室的长边；矩形溅射靶上方设置有一个直线运动结构，基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上，并在步进电机的驱动下能够沿真空室的长边作直线往复运动，直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置，其最大行程覆盖了所有矩形溅射靶。

【技术特征摘要】
1.一种直列多靶磁控溅射镀膜装置，包括I个真空室，真空室内设置有η个矩形溅射靶3、I个基片架、I个基片加热器、I个直线运动机构，真空室外具有I个步进电机；其特征在于，所述真空室为箱式真空室，η个矩形溅射靶相互平行并共轴排成一列，靶间距小于矩形靶宽度的2倍，所有矩形溅射靶的宽度方向都平行于真空室的长边；矩形溅射靶上方设置有一个直线运动结构，基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上，并在步进电机的驱动下能够沿真空室的长边作直线往复运动，直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置，其最大...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜晓松，林庆浩，邱栋，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：