复式轨道双对称可分离腔体磁控溅射镀膜设备制造技术

本发明专利技术公开了一种复式轨道双对称可分离腔体磁控溅射镀膜设备，包括镀膜腔体单元。镀膜腔体单元由左右对称的左腔体和右腔体组成，左腔体和右腔体分别构成独立的镀膜腔；镀膜腔包括靶材架和基片架；左腔体和右腔体的基片架位于镀膜腔体单元的中间，中间通过隔板隔开；左腔体和右腔体的靶材架位于镀膜腔体单元的外侧；靶材架上安装有开合装置。镀膜腔体单元还可以进一步包括滑轨，靶材架可以沿着滑轨移动。本发明专利技术通过结构化组件设计使得本发明专利技术安装非常方便。本发明专利技术的镀膜腔可以侧向打开，从而非常方便地实现镀膜腔内部的维护保养。本发明专利技术还可以将多个镀膜腔体单元组成连续镀膜设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁控溅射镀膜设备。
技术介绍
在材料表面上镀上一层薄膜，可使该种材料具有许多新的物理和化学性能。真空镀膜法是一种崭新的镀膜工艺，由于薄膜制备工艺是在真空条件下进行的，故称真空镀膜法。真空下制备薄膜，环境清洁，膜不易受污染，可获得致密性好、纯度高、厚度均匀的薄膜层，并具有膜与基体附着强度好、膜层牢固的优点。当前，几乎任何材料都可以通过真空镀膜工艺涂覆到其他基体材料 表面上，这就为真空镀膜技术在各种工业领域中的应用开辟了更广阔的前景。磁控溅射镀膜是电子在正交电磁场的共同作用下加速飞向靶材的过程中与IS原子发生碰撞，电尚出大量的IS尚子和电子，IS尚子在电场的作用下加速轰击祀材，派射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子或分子或者是靶材离子沉积在基体上成膜。磁控溅射就是在普通的阴极溅射基础上外加在相互正交的磁场和电场中，利用磁场的约束来改变电子在气体放电中的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，极大提高电子对工作气体分子或原子的碰撞电尚几率及更充分的利用电子的能量，从而使气体正尚子对靶材的轰击所引起的靶原子的溅射更有效。同时，受到正交电磁场束缚的电子只有在其能量耗尽时才能脱离靶表本文档来自技高网...

【技术保护点】
复式轨道双对称可分离腔体磁控溅射镀膜设备，包括镀膜腔体单元，其特征在于，镀膜腔体单元由左右对称的左腔体和右腔体组成，左腔体和右腔体分别构成独立的镀膜腔；镀膜腔包括靶材架和基片架；左腔体和右腔体的基片架位于镀膜腔体单元的中间，中间通过隔板隔开；左腔体和右腔体的靶材架位于镀膜腔体单元的外侧；靶材架上安装有开合装置。

【技术特征摘要】
1.复式轨道双对称可分离腔体磁控溅射镀膜设备，包括镀膜腔体单元，其特征在于，镀膜腔体单元由左右对称的左腔体和右腔体组成，左腔体和右腔体分别构成独立的镀膜腔；镀膜腔包括靶材架和基片架；左腔体和右腔体的基片架位于镀膜腔体单元的中间，中间通过隔板隔开；左腔体和右腔体的靶材架位于镀膜腔体单元的外侧；靶材架上安装有开合装置。2.如权利要求1所述的复式轨道双对称可分离腔体磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述的镀膜腔体单元还包括滑轨，靶材架安装于滑轨上。3.如权利要求1所述的复式轨道双对称...

【专利技术属性】
技术研发人员：田秋丽，
申请(专利权)人：有度功能薄膜材料扬州有限公司，
类型：发明
国别省市：