用于真空处理设备的气体分配装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于容纳要在真空处理工艺中处理的基板的真空室，其包括气体入口（7）和气体分配系统（9），所述气体入口（7）连接至用于容纳气体（A、B）的气体源，所述气体分配系统（9）用于将所述气体（A、B）从所述气体入口（7）分配到在朝向所述基板的多个位置处的多个通向所述真空室的出口孔（8），其中，气体分配系统（9）包括第一板（10）和第二板（5），每块板均具有平坦侧面；第一板（10）具有形成出口孔（8）的多个镗孔（4）；第二板（5）具有布置在平坦侧面上的多个通道（6a、6b）；第一板（10）与第二板（5）通过它们的彼此直接接触的平坦侧面安装到一起，使得第一板（10）的每个镗孔（4）布置在第二板（5）的通道（6a、6b）终止的位置，气体（A、B）通过各个通道（6a、6b）分配到镗孔（4）中；以及各个通道（6a、6b）汇合成连接至气体入口（7）的至少一个共同通道（6a、6b），从而形成分支布置。包括气体分配系统（9）的真空室显著改善了基板涂层的同质性，从而在也降低了制造成本的同时，改善了如此制造的基板的质量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于容纳要在真空处理工艺中处理的基板的真空室，其包括气体入口和气体分配系统，所述气体入口连接至用于容纳气体的气体源，所述气体分配系统用于将气体从气体入口分配到在朝向所述基板的多个位置处的多个通向所述真空室的出口孔。特别地，本专利技术涉及一种用于均匀地分配前体气体或在低压化学气相沉积反应器中的气体的系统。该气体分配系统可应用于所有化学气相沉积反应器，以改善局部气流均匀性，从而改善涂层同质性。该系统还允许在没有靠近基板表面进行预混合的情况下独立地输送例如反应前体材料，以减少在反应器本身上的寄生沉积。
技术介绍
大家在本领域中熟知沉积或涂层处理工艺、特别地薄膜沉积处理工艺。特别地对于大面积涂层的制造，沉积均匀性是重要的标准。如今，在薄膜技术中，以小规模实现的层特性需要延伸至大面积的基板。通常，对小区域上的集成规格越严，则在较大的区域上需要的均匀性越好。典型的示例是集成电路(IC)工业:在IC工业中，多个薄膜层被彼此调节。需要在整个基板区域上维持所述调节，这一情况使得，在整个晶片上的所有相关层的全部关键特性中，良好的均匀性对所述所有相关层十分重要。类似的示例是薄膜太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.03 US 61/379,8861.一种用于容纳要在真空处理工艺中处理的基板的真空室，其包括气体入口(7)和气体分配系统(9)，所述气体入口(7)连接至用于容纳气体(A、B)的气体源，所述气体分配系统(9)用于将所述气体(A、B)从所述气体入口(7)分配到在朝向所述基板的多个位置处的多个通向所述真空室的出口孔(8)，其中， 所述气体分配系统(9)包括第一板(10)和第二板(5)，每块板均具有平坦侧面； 所述第一板(10)具有形成所述出口孔(8)的多个镗孔(4)； 所述第二板(5)具有布置在所述平坦侧面上的多个通道(6a、6b)； 所述第一板(10)与所述第二板(5)通过它们的彼此直接接触的平坦侧面安装到一起，使得所述第一板(10)的每个镗孔(4)布置在所述第二板(5)的通道(6a、6b)终止的位置处，使得气体(A、B)通过所述各个通道(6a、6b)分配到所述镗孔(4)中；以及 所述各个通道(6a、6b )汇合成连接至所述气体入口( 7 )的至少一个共同通道(6a、6b )，形成分支布置。2.根据前述权利要求所述的真空室，其中，所述气体分配系统(9)包括具有平坦侧面的背板(14)，所述第二板(5)在两侧上具有两个相对的平坦侧面和两组相对的通道(6a、6b)，所述背板(14)与所述第二板(5)通过它们的彼此直接接触的平坦侧面安装到一起，使得气体(A、B)通过在所述第二板(5)的两侧上的所述通道(6a、6b)分配。3.根据前述权利要求所述的真空室，其中，所述第二板(5)的两侧的所述各个通道(6a、6b)从所述第二板(5)的每侧汇合成至少一个共同通道(6a、6b),使得气体(A、B)分配至所述第二板(5)的每侧的所述各个通道(6a、6b)。4.根据前述权利要求2或3中的任一项所述的真空室，其中，所述第二板(5)包括多个第二镗孔(15)，来自所述 第二板(5)的两侧的所述两组通道(6a、6b)的气体(A、B)分配到形成用于气体(A、B)的共同出口孔(8)的相同镗孔(4)中。5.根据前述权利要求2或3中的任一项所述的真空室，其中，所述第二板(5)包...

【专利技术属性】
技术研发人员：洛朗·德蓬，维塔利·沃夫克，欧文·查尔斯·瓦特金斯，
申请(专利权)人：东电电子太阳能股份公司，
类型：
国别省市：