相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公布一种相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，包括箱体和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统，相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统设在箱体内；相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统包括检测管路、高真空校准分系统、低真空校准分系统、机械泵和分子泵；检测管路包括导气管、电阻规G5、电磁隔断阀V10、手动隔断阀V1、微调阀V5和电磁隔断阀V9；电阻规G5、电磁隔断阀V10、分子泵、手动隔断阀V1、微调阀V5和电磁隔断阀V9通过导气管依次连接。本实用新型专利技术不仅可以对各种型号的真空规进行测量，还实现了一装置多用途，降低计量成本，节省设备占用空间。

【技术实现步骤摘要】
相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置
本技术涉及一种真空校准装置，特别涉及一种相对法高真空、相对法低真空 及膨胀法一体式校准装置。
技术介绍
真空计校准是真空测量的基础，是研究和发展真空测量的有力工具。而真空计刻 度：是在一定条件下对一种类的气体进行的，从而得到校准系数或刻度曲线，借以确定相对 真空计的读数及其大致的测量量程及精度。气体种类、工作条件、仪器配置等改变，校准曲 线也改变，因此真空校准是必要的，定期的。而现有真空校准装置功能单一较多，即可以校 准高真空规的无法对低真空规进行校准，可以校准低真空规的无法对高真空规进行校准， 此外校准量程受限也导致常规真空校准装置无法对特定类的真空规进行校准。
技术实现思路
有鉴于此，本技术在于提供一种即可以对高真空规进行校准又可以对低真空 规校准且具有较宽校准量程的相对法高真空、相对法低真空和膨胀法一体式校准装置。 为解决上述问题，本技术采用如下技术方案：相对法高真空、相对法低真空及 膨胀法一体式校准装置，包括箱体和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系 统，所述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统设在所述箱体内；所述相对 法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统包括检测管路、高真空校准分系统、低真 空校准分系统、机械泵和分子泵；所述检测管路包括导气管、电阻规G5、电磁隔断阀Vltl、手 动隔断阀V1、微调阀V5和电磁隔断阀V9 ;所述电阻规G5、所述电磁隔断阀Vltl、所述分子泵、 所述手动隔断阀V1、所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9通过导气管依次连接；所述机械泵 依次经过电磁放气阀V12和挡油阱与位于所述电阻规G5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检 测管路导通连接，所述高真空校准分系统与位于所述手动隔断阀V1和所述微调阀V5之间的 所述检测管路导通连接，所述低真空校准分系统与位于所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检测管路导通连接，位于所述手动隔断阀V1和所述微调阀V5之间的所述检测管 路与位于所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检测管路经过手动隔断阀V6和膨 胀阀V7导通连接，位于所述微调阀V5和所述电磁隔断阀V9之间的所述检测管路微调阀V 11与氮气存储装置导通连接。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述高真空校准分 系统包括高真空室、监测高真空电离规G1、标准电离真空规G2和高真空校准接入端，所述监 测高真空电离规G1与所述高真空室导通连接，所述标准电离真空规G2与所述高真空室导通 连接，所述高真空室通过手动隔断阀V2与所述高真空校准接入端导通连接，所述高真空室 与位于所述手动隔断阀V1和所述微调阀V5之间的所述检测管路导通连接。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述低真空校准分 系统包括低真空室、IOOOTorr标准薄膜规G3、ITorr标准薄膜规G4和低真空校准接入端，所 述IOOOTorr标准薄膜规G3与所述低真空室导通连接，所述ITorr标准薄膜规G4经过手动 隔断阀V8与所述低真空室导通连接，所述低真空室通过手动隔断阀V4与所述低真空校准接 入端导通连接，所述低真空室与位于所述电磁隔断阀V9和所述微调阀V5之间的所述检测管 路导通连接，所述低真空室通过手动隔断阀V3与所述高真空校准接入端导通连接。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述高真空校准接 入端和所述低真空校准接入端均设有盲板。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，还包括微机、标准电 离计、IOOOTorr电容薄膜计、ITorr电容薄膜计和复合真空计，所述微机分别与所述标准电 离计、所述IOOOTorr电容薄膜计、所述ITorr电容薄膜计和所述复合真空计通信连接。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述标准电离计设 在所述标准电离真空规G2上；所述IOOOTorr电容薄膜计设在所述IOOOTorr标准薄膜规G3上；所述ITorr电容薄膜计设在所述ITorr标准薄膜规G4上；所述监测高真空电离规G1和 所述电阻规G5上分别设有一个所述复合真空计。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，所述微 机配有19寸显示屏。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述分子泵配有加 热装置；所述挡油阱配有加热装置。 上述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，所述箱体的箱壁上 设有电源开关，所述电源开关包括机械泵电源开关、电磁隔断阀V9电源开关、电磁隔断阀 Vltl电源开关、分子泵开关、挡油阱加热装置电源开关、分子泵加热装置电源开关、电容薄膜 计电源开关和总电源开关。 本技术的有益效果是： 1.本技术满足一装置多用途的要求，有利于降低计量部门的计量设备成本， 节省设备占用空间。 2.采用本技术可以对各种高、低真空规和/或真空计进行校准，不仅可以用 相对法对真空度测量范围在IXio5?IXKT5Pa内的各种真空计进行校准，而且还可在 I X IO2?I X KT2Pa内随时用膨胀法对装置上的高、低标准真空计进行校准。 【附图说明】 图1为本技术相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置的箱体 外观结构示意图； 图2为本技术相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置的相对 法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统工作原理图。 图中：100-箱体，101-总电源开关，102-分子泵电源，103-机械泵电源开关， 104-电磁隔断阀V9电源开关，105-电磁隔断阀Vltl电源开关，106-分子泵电源开关， 107-挡油阱加热装置电源开关，108-分子泵加热装置电源开关，109-电容薄膜计电源开 关，110-显示屏，200-相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统，201-机械 泵，202-分子泵，203-高真空校准分系统，204-低真空校准分系统，205-手动隔断阀V1, 206-手动隔断阀V2, 207-手动隔断阀V3, 208-手动隔断阀V4, 209-微调阀V5, 210-手动隔 断阀V6, 211-膨胀阀V7, 212-电磁隔断阀V9, 213-电磁隔断阀V1(l，214-微调阀Vn，215-电 磁放气阀V12, 216-挡油阱，217-高真空室，218-监测高真空电离规G1, 219-标准电离真空 规G2, 220-1000Torr标准薄膜规G3, 221-手动隔断阀V8, 222-lTorr标准薄膜规G4, 223-电 阻规G5, 225-高真空校准接入端，226-低真空校准接入端，227-氮气存储装置。 【具体实施方式】 为清楚说明本技术中的方案，下面给出优选的实施例并结合附图详细说明。 如图1和图2所示，相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，包括 箱体100和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统200,所述相对法高真 空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统200设在所述箱体100内本文档来自技高网...

【技术保护点】
相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，包括箱体(100)和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统(200)，所述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统(200)设在所述箱体(100)内；所述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统(200)包括检测管路、高真空校准分系统(203)、低真空校准分系统(204)、机械泵(201)和分子泵(202)；所述检测管路包括导气管、电阻规G5(223)、电磁隔断阀V10(213)、手动隔断阀V1(205)、微调阀V5(209)和电磁隔断阀V9(212)；所述电阻规G5(223)、所述电磁隔断阀V10(213)、所述分子泵(202)、所述手动隔断阀V1(205)、所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)通过导气管依次连接；所述机械泵(201)依次经过电磁放气阀V12(215)和挡油阱(216)与位于所述电阻规G5(223)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路导通连接，所述高真空校准分系统(203)与位于所述手动隔断阀V1(205)和所述微调阀V5(209)之间的所述检测管路导通连接，所述低真空校准分系统(204)与位于所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路导通连接，位于所述手动隔断阀V1(205)和所述微调阀V5(209)之间的所述检测管路与位于所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路经过手动隔断阀V6(210)和膨胀阀V7(211)导通连接，位于所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路微调阀V11(214)与氮气存储装置(227)导通连接。...

【技术特征摘要】
1. 相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，包括箱体 (100)和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统（200)，所述相对法高真 空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统（200)设在所述箱体（100)内；所述相对法 高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统（200)包括检测管路、高真空校准分系统 (203)、低真空校准分系统（204)、机械泵（201)和分子泵（202);所述检测管路包括导气管、 电阻规G5 (223)、电磁隔断阀V1(l (213)、手动隔断阀Vi (205)、微调阀V5 (209)和电磁隔断阀 V9(212);所述电阻规G5(223)、所述电磁隔断阀V1CI(213)、所述分子泵（202)、所述手动隔断 阀％ (205)、所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)通过导气管依次连接；所述机械 泵（201)依次经过电磁放气阀V12 (215)和挡油阱（216)与位于所述电阻规G5(223)和所述 电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路导通连接，所述高真空校准分系统（203)与位于 所述手动隔断阀'(205)和所述微调阀V5(209)之间的所述检测管路导通连接，所述低真空 校准分系统（204)与位于所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测 管路导通连接，位于所述手动隔断阀'(205)和所述微调阀V5(209)之间的所述检测管路与 位于所述微调_V5(209)和所述电磁隔断阀V9(212)之间的所述检测管路经过手动隔断阀 V6(210)和膨胀_V7(211)导通连接，位于所述微调阀V5(209)和所述电磁隔断阀V 9(212)之 间的所述检测管路微调阀Vn (214)与氮气存储装置（227)导通连接。2. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其 特征在于，所述高真空校准分系统（203)包括高真空室（217)、监测高真空电离规匕(218)、 标准电离真空规62 (219)和高真空校准接入端（225)，所述监测高真空电离规匕(218)与所 述高真空室（217)导通连接，所述标准电离真空规62 (219)与所述高真空室（217)导通连 接，所述高真空室（217)通过手动隔断_V2(206)与所述高真空校准接入端（225)导通连 接，所述高真空室（217)与位于所述手动隔断阀％ (205)和所述微调阀V5(209)之间的所述 检测管路导通连接。3. 根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊华，
申请(专利权)人：北京麦克思拓测控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11