集成电路制造技术

一种集成电路，具备：放大晶体管，对输入信号进行放大；偏置电路，设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；以及切换电路，根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及集成电路。
技术介绍
作为防止由静电导致的集成电路的静电破坏的方法，有时设置用于使浪涌电流迂回的保护元件。此时，即使使浪涌电流迂回到保护元件，若在集成电路中存在浪涌电流流动的路径，则集成电路有时也会被静电破坏。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是:提供一种可提高对于静电破坏的耐性的集成电路。实施方式的集成电路，其特征在于，具备:放大晶体管，其使输入信号放大；偏置电路，其设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，其根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；和切换电路，其根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。另一实施方式的集成电路，其特征在于，具备:第一放大晶体管，其使所述输入信号放大；第二放大晶体管，其与所述第一放大晶体管串联连接；偏置电路，其根据偏置晶体管(bias transistor)的电流镜动作来设定偏置电压以使所述第一及第二放大晶体管可进行放大；第一开关晶体管，其使所述第一放大晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第二开关晶体管，其使所述第二放大晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第三开关晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，其特征在于，具备：放大晶体管，对输入信号进行放大；偏置电路，设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；以及切换电路，根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。

【技术特征摘要】
2011.10.28 JP 237888/20111.一种集成电路，其特征在于，具备: 放大晶体管，对输入信号进行放大； 偏置电路，设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大； 静电保护电路，根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；以及 切换电路，根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在干， 所述静电保护电路具备: 开关晶体管，使所述放大晶体管的栅极和源极之间导通或截止； 第一电阻，检测在所述偏置电路的电源施加的电压；以及 第一变换器，根据经由所述第一电阻而被检测到的电压来驱动所述开关晶体管的栅扱，以使所述开关晶体管导通， 所述切换电路根据电源的供给状态，经由所述第一变换器来驱动所述开关晶体管的栅扱，以使所述开关晶体管截止。3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在干， 所述第一电阻连接在所述偏置电路的电源的电源端子和所述第一变换器的输入端子之间。4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在干， 所述切换电路具备第二变换器，该第二变换器被输入通电信号且其输出端子与所述第一变换器的输入端子连接。5.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在干， 所述开关晶体管的漏极经由第二电阻与所述放大晶体管的栅极连接。6.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在干， 所述放大晶体管的输出端子经由ニ极管与所述电源端子连接。7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，具备: 电感器，与所述放大晶体管的源极连接；以及 电容器，连接在所述放大晶体管的源极和栅极之间。8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在干， 所述放大晶体管具备: 第一放大晶体管，对输入信号进行放大；和 第二放大晶体管，与所述第一放大晶体管串联连接。9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在干， 所述偏置电路具备: 第一偏置晶体管，进行电流镜动作；以及 第二偏置晶体管，根据所述第一偏置晶体管的电流镜动作而生成所述偏置电路的所述偏置电压， 所述静电保护电路具备: 开关晶体管，使所述第一偏置晶体管的栅极和源极之间导通或截止； 第一电阻，检测在所述偏置电路的电源施加的电压；以及第一变换器，根据经由所述第一电阻而被检测出的电压来驱动所述开关晶体管的栅极，以使所述开关晶体管导通， 所述切换电路根据电源的供给状态，经由所述第一变换器来驱动所述开关晶体管的栅极，以使所述开关晶体管截止。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原阳介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：