集成电路制造技术

一种集成电路，具备：放大晶体管，对输入信号进行放大；偏置电路，设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；以及切换电路，根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及集成电路。
技术介绍
作为防止由静电导致的集成电路的静电破坏的方法，有时设置用于使浪涌电流迂回的保护元件。此时，即使使浪涌电流迂回到保护元件，若在集成电路中存在浪涌电流流动的路径，则集成电路有时也会被静电破坏。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是:提供一种可提高对于静电破坏的耐性的集成电路。实施方式的集成电路，其特征在于，具备:放大晶体管，其使输入信号放大；偏置电路，其设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，其根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；和切换电路，其根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。另一实施方式的集成电路，其特征在于，具备:第一放大晶体管，其使所述输入信号放大；第二放大晶体管，其与所述第一放大晶体管串联连接；偏置电路，其根据偏置晶体管(bias transistor)的电流镜动作来设定偏置电压以使所述第一及第二放大晶体管可进行放大；第一开关晶体管，其使所述第一放大晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第二开关晶体管，其使所述第二放大晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第三开关晶体管，其使所述偏置晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第一电阻，其检测在所述偏置电路的电源施加的电压；第一变换器(inverter )，其根据经所述第一电阻而被检测出的电压来驱动所述第一、第二及第三开关晶体管的栅极以使所述第一、第二及第三开关晶体管导通；和切换电路，其根据电源的供给状态来经所述第一变换器驱动所述第一、第二及第三开关晶体管的栅极以使所述第一、第二及第三开关晶体管截止。根据上述构成的集成电路，可提高对静电破坏的耐性。附图说明图1是表示第一实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。图2是表示图1的放大电路I和外设部件12、13的连接方法的电路图。图3是表示第二实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。图4是表示第三实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。具体实施方式根据实施方式的集成电路，设有放大晶体管、偏置电路、静电保护电路和切换电路。放大晶体管使输入信号放大。偏置电路设定偏置电压以使上述放大晶体管可进行放大。静电保护电路根据在上述放大晶体管施加的电压来设定上述放大晶体管的偏置电压以使上述放大晶体管截止。切换电路根据电源的供给状态来切換上述放大晶体管的偏置电压。下面參照附图来说明实施方式涉及的集成电路。再有，本专利技术不限于这些实施方式。(第一实施方式)图1是表示第一实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。在图1中，在该集成电路中，设有放大电路1、静电保护电路2、切换电路3及偏置电路4。此外,在该集成电路中，设有ニ极管D1 D8来作为静电保护元件。放大电路I可将输入信号放大。这里,在放大电路I中，设有放大晶体管Ml、M2、电阻Rl、R2、电感器LI及电容器Cl、C2。再有，放大晶体管Ml、M2可使用例如N沟道场效应晶体管。而且，放大晶体管M1、M2互相串联连接。再有，放大晶体管Ml的源极经电感器LI与接地端子GND_LNA连接。在放大晶体管Ml的栅极和源极之间连接有电容器Cl。放大晶体管Ml的栅极连接电阻R1，经电阻Rl被施加偏置电压BA1。此外，放大晶体管Ml的栅极连接输入端子LNA_IN，经输入端子LNA_IN被输入输入信号。放大晶体管M2的漏极与输出端子LNA_0UT连接。在放大晶体管M2的栅极和接地端子GND_LAN之间连接有电容器C2。放大晶体管M2的栅极连接电阻R2，经电阻R2被施加偏置电压BA2。偏置电路4可设定偏置电压BA1、BA2以使放大晶体管M1、M2可进行放大。这里，经电源端子VDD_LNA向偏置电路4供给电源电压。而且，用偏置电路4生成偏置电压BA1、BA2。再有，经电阻Rl向放大晶体管Ml的栅极施加偏置电压BA1，且经电阻R2向放大晶体管M2的栅极施加偏置电压BA2。静电保护电路2可根据在放大晶体管Ml、M2施加的电压来设定放大晶体管Ml的偏置电压BAl以使放大晶体管Ml截止。这里，在静电保护电路2，设有开关晶体管M3、变换器N2、N3及电阻R3。再有，开关晶体管M3可使用例如N沟道场效应晶体管。而且，开关晶体管M3的漏极经电阻Rl与放大晶体管Ml的栅极连接。开关晶体管M3的源极与接地端子GND_LNA连接。变换器N2、N3互相串联连接，变换器N2的输入经电阻R3与电源端子VDD_LNA连接。变换器N3的输出与开关晶体管M3的栅极连接。此外，经电源端子VDD_LNA向变换器N2、N3供给电源电压。切换电路3可根据电源VDDC的供给状态来切换放大晶体管Ml的偏置电压BAl。这里，切換电路3中设有变换器NI。变换器NI被供给电源电压VDDC。此外，变换器NI被输入通电(power on)信号PS。变换器NI的输出与变换器N2的输入连接。在输出端子LNA_0UT和电源端子VDD_LNA之间连接有ニ极管D5。ニ极管D6 D8互相串联连接。而且，在电源端子VDD_LNA和接地端子GND_LNA之间连接有ニ极管D6 D8的串联电路。ニ极管D1、D2互相反向并联连接，ニ极管D3、D4互相反向并联连接。ニ极管D1、D2的反向并联电路和二极管D3、D4的反向并联电路互相串联连接。另外，该串联电路连接在变换器NI的接地电位GNDC和接地端子GND_LNA之间。图2是表示图1的放大电路I和外设部件12、13的连接方法的电路图。在图2中，放大电路I及调节器(regulator)7搭载于半导体芯片11。调节器7可将电源电压VDDl转换为电源电压VDD2。这里，在调节器7设有比较器PA。向比较器PA供给电源电压VDDI，并可将电源电压VDD2与基准电压ref比较。而且，放大晶体管Ml的栅极与输入端子TI连接，放大晶体管M2的漏极与输出端子TO连接，放大晶体管Ml的源极经电感器LI与接地端子TG连接，调节器7的输出端子与电源端子TD连接。在输入端子TI连接有进行与输入信号In的匹配的外设部件12。在输出端子TO和电源端子TD之间，连接有进行与输出信号Out的匹配的外设部件13。这里，在外设部件12设有电感器L11、L12及电容器C11。而且，输入信号In依次经电感器Lll及电容器Cll向放大晶体管Ml的栅极输入。此外，电感器Lll和电容器Cll的连接点经电感器L12接地。在外设部件13设有电感器L13、电容器C12及电阻RlI。而且，电感器L13和电阻Rl I互相连接，从比较器PA输出的电源电压VDD2经电感器L13和电阻Rl I的并联电路向放大晶体管M2的漏极供给。此外，输出信号Out从放大晶体管M2的漏极经电容器C12输出。这里，放大电路I的输入端子T1、输出端子T0、电源端子TD及接地端子TG从半导体芯片11露出到外部。而且，输入端子TI不经过电阻地与放大晶体管Ml的栅极连接，输出端子TO不经过电阻地与放大晶体管M2的漏极连接，接地端子TG不经过电阻地与放大晶体管Ml的源极连接。因此，浪涌电流直接输入放大晶体管M1、M2。再有，对于图1的静电保护电路2、切换电路3及偏置电路4，也可搭载于半导体芯片11。而且，在图1及图2中，在将半导体芯片11安装于电路基板前，不向半导体芯片11供给电源。因此，不向偏置电路4及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，其特征在于，具备：放大晶体管，对输入信号进行放大；偏置电路，设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；以及切换电路，根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。

【技术特征摘要】
2011.10.28 JP 237888/20111.一种集成电路，其特征在于，具备: 放大晶体管，对输入信号进行放大； 偏置电路，设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大； 静电保护电路，根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；以及 切换电路，根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在干， 所述静电保护电路具备: 开关晶体管，使所述放大晶体管的栅极和源极之间导通或截止； 第一电阻，检测在所述偏置电路的电源施加的电压；以及 第一变换器，根据经由所述第一电阻而被检测到的电压来驱动所述开关晶体管的栅扱，以使所述开关晶体管导通， 所述切换电路根据电源的供给状态，经由所述第一变换器来驱动所述开关晶体管的栅扱，以使所述开关晶体管截止。3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在干， 所述第一电阻连接在所述偏置电路的电源的电源端子和所述第一变换器的输入端子之间。4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在干， 所述切换电路具备第二变换器，该第二变换器被输入通电信号且其输出端子与所述第一变换器的输入端子连接。5.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在干， 所述开关晶体管的漏极经由第二电阻与所述放大晶体管的栅极连接。6.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在干， 所述放大晶体管的输出端子经由ニ极管与所述电源端子连接。7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，具备: 电感器，与所述放大晶体管的源极连接；以及 电容器，连接在所述放大晶体管的源极和栅极之间。8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在干， 所述放大晶体管具备: 第一放大晶体管，对输入信号进行放大；和 第二放大晶体管，与所述第一放大晶体管串联连接。9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在干， 所述偏置电路具备: 第一偏置晶体管，进行电流镜动作；以及 第二偏置晶体管，根据所述第一偏置晶体管的电流镜动作而生成所述偏置电路的所述偏置电压， 所述静电保护电路具备: 开关晶体管，使所述第一偏置晶体管的栅极和源极之间导通或截止； 第一电阻，检测在所述偏置电路的电源施加的电压；以及第一变换器，根据经由所述第一电阻而被检测出的电压来驱动所述开关晶体管的栅极，以使所述开关晶体管导通， 所述切换电路根据电源的供给状态，经由所述第一变换器来驱动所述开关晶体管的栅极，以使所述开关晶体管截止。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原阳介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：