功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法技术

本发明专利技术属于功率放大器技术领域，具体公开了一种功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法，其中功率放大晶体管电路包括一个功率放大晶体管(T1)和一个连接于功率放大晶体管基极的稳定电路(5)，稳定电路(5)由一射频输入通路和一直流输入通路并联而成，射频输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的电学稳定性，直流输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的热稳定性。本发明专利技术解决了同时优化满足功率放大晶体管的热稳定性和电学稳定性的技术问题，能实现良好的功率放大晶体管设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率放大器
，具体涉及一种功率放大晶体管电路及提高功率放大晶体管稳定性的方法，特别是一种砷化镓异质结双极功率放大晶体管(GaAs HBT功率放大晶体管)电路及提高其稳定性的方法。
技术介绍
在现代无线通信系统中，射频功率放大器是实现射频信号无线传输的关键部件，而功率放大晶体管又是构成射频功率放大器的核心。它要求具有高频特性好、功率密度大、工作频率高、线性度好、功率增益高、易于匹配等诸多特性。而GaAs HBT功率放大晶体管具有高的电流处理能力、高的输出功率，优异的高频特性、较宽的线性和高的效率，非常适合于功率放大应用。GaAs HBT功率放大晶体管在应用时，通常采用多发射极指结构来改善电流处理能力和散热能力。然而，由于GaAs材料本身的热导率很低，功率放大晶体管在大电流工作状态下产生的热量很难及时的散发出去，HBT的结温升高，导致晶体管的开启电压下降，在基极偏置电压的偏置下，产生集电极电流的热电正反馈，器件的IV曲线出现上翘。结温升高，增加了器件的反向注入电流，降低了器件的电流增益，导致了集电极电流的热电负反馈特性。HBT自热效应引发的热电反馈将导致多指HBT功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大晶体管电路，包括一个功率放大晶体管(T1)和一个稳定电路(5)，该稳定电路(5)连接于功率放大晶体管(T1)的基极，其特征在于：该稳定电路(5)由一射频输入通路和一直流输入通路并联而成；该射频输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的电学稳定性，该直流输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的热稳定性。

【技术特征摘要】
1.种功率放大晶体管电路，包括一个功率放大晶体管(Tl)和一个稳定电路(5),该稳定电路(5)连接于功率放大晶体管(Tl)的基极，其特征在于:该稳定电路(5)由一射频输入通路和一直流输入通路并联而成；该射频输入通路用于改善功率放大晶体管(Tl)的电学稳定性，该直流输入通路用于改善功率放大晶体管(Tl)的热稳定性。2.根据权利要求1所述的功率放大晶体管电路，其中该射频输入通路由电阻(Rl)和电容(Cl)并联组成，射频输入通路的一端连接到输入匹配电路(2)，另一端连接到功率放大晶体管(Tl)的基极。3.根据权利要求1所述的功率放大晶体管电路，其中直流输入通路由一个稳定电阻(R2)组成，稳定电阻(R2) —端连接到输入偏置电路(1)，另一端也连接到功率放大晶体管(Tl)的基极。4.根据权利要求1-3的任一项所述的功率放大晶体管电路，其中功率放大晶体管(Tl)的集电极经由一电感(LI)连接到电源(VCC)。5.根据权利要求1-3的任一项所述的功率放大晶体管电路，其中功率放大晶体管(Tl)的集电极经由一输出匹配电路连接到射频输出端(RFOUT)。6.根据权利要求1-3的任一项所述的功率放大晶体管电路，其中的功率放大晶体管(Tl)为GaAs HBT功率放大晶体管。7.根据权利要求6所述的功率放大晶体管电路，其中电阻(Rl)和电容(Cl)的值是调节的。8.根据权利要求6所述的功率放大晶体管电路，其中稳定电阻(R2)的值是可调节的。9.一种提高功率放大晶体管稳定性的方法，其特征在于包括如下步骤: 在功率放大晶体管(Tl)和...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洪文，阎跃鹏，刘宇辙，张韧，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：