一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器，其结构是包括信号输入级和噪声抵消级，所述信号输入级由电感Li、电阻RF、NMOS管M1-a和PMOS管M1-b组成，其中的PMOS管M1-b和NMOS管M1-a构成了一自偏置反相器，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配，所述电感Li在输入端提供谐振，用以抵消输入端的容性寄生；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1和两个NMOS晶体管M2、M3组成，所述噪声抵消级用于与所述信号输入级的噪声电压相互抵消。本发明专利技术放大器在输入匹配、噪声、增益、带宽和线性度方面有一定的优势，其结构简单，芯片面积小，便于集成，成本低，其性价比高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低噪声放大器，尤其涉及一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器。
技术介绍
随着无线通信技术的不断发展，无线宽带技术已经成为大多数用户升级的首选技术。宽带低噪声放大器是无线宽带系统中非常关键的模块，尤其是在无线接收机当中，低噪声放大器一般位于接收机的最前端，如图1所示，从天线馈入的微弱信号经过频带选通滤波器后要通过低噪声放大器进行放大，再拿到后级进行处理，其性能直接影响到接收机的整体性能。它必须在很宽的频带范围内实现输入阻抗匹配、提供平坦的增益、引入尽可能低的噪声，并保证有足够的线性范围容纳可能出现的信号能量。因此设计一个大带宽的LNA是无线系统设计中非常重要的环节。绝大多数应用要求低噪声放大器具有50 Ω的输入阻抗，从而使得低噪声放大器的输入可以直接作为片外射频滤波器的终端负载，这是低噪声放大器的设放大器的计中必须满足的一个性能指标。当阻抗不匹配时，射频滤波器到低噪声放大器的功率传输会发生反射，严重恶化系统性能。目前可以提供电阻性输入阻抗的宽带匹配有共栅极输入和匹配网络匹配、电阻负反馈三种方式。共栅极输入的方式不需要复杂的匹配网络，但是它的增益不高，无法良本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器，包括信号输入级和噪声抵消级，其特征在于：所述信号输入级由电感Li、电阻RF、NMOS管M1?a和PMOS管M1?b组成，其中的PMOS管M1?b和NMOS管M1?a构成了一自偏置反相器，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配；所述噪声抵消级由电阻R1、电容C1和两个NMOS晶体管M2、M3组成，所述噪声抵消级用于与所述信号输入级的噪声电压相互抵消；上述各电子元器件之间的连接关系为：信号由电感Li输入，电感Li与电阻RF的一端、NMOS管M1?a的栅极、PMOS管M1?b的栅极和NMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1?a的源极接...

【技术特征摘要】
1.一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器，包括信号输入级和噪声抵消级，其特征在于: 所述信号输入级由电感L1、电阻RF、NMOS管Ml-a和PMOS管Ml_b组成，其中的PMOS管Ml-b和NMOS管Ml-a构成了一自偏置反相器，所述信号输入级利用所述电阻RF的负反馈实现输入阻抗的匹配； 所述噪声抵消级由电阻R1、电容Cl和两个NMOS晶体管M2、M3组成，所述噪声抵消级用于与所述信号输入级的噪声电压相互抵消； 上述各电子元器件之间的连接关系为: 信号由电感Li输入，电感Li与电阻RF的一端、NMOS管Ml_a的栅极、P...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦国轩，闫月星，杨来春，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：