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本发明公开了一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器，其结构是包括信号输入级和噪声抵消级，所述信号输入级由电感Li、电阻RF、NMOS管M1-a和PMOS管M1-b组成，其中的PMOS管M1-b和NMOS管M1-a构成了一自偏置反相器...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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