【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种放大器，具体来说，涉及一种全差分低功耗低噪声放大器。
技术介绍
低噪声放大器是位于射频接收芯片的第一级有源电路，从整个接收链路考虑，噪声系数主要由射频前端的模块的噪声系数决定。因此，为了抑制噪声对后续电路的影响，低噪声放大器应具有相对较低的噪声系数。低噪声放大器也提供一定的增益，放大天线接收的微弱射频信号，满足后续电路对增益的要求。随着多载波技术和复杂调制技术越来越多地应用到无线通讯中，对接收机各项性能参数的要求也逐渐提高。由于金属氧化物晶体管受到截止频率的限制，在射频电路中很难采取一些低频电路中的设计技巧。例如反馈、跨导自举等技术。在进行射频电路设计时应该充分考虑寄生效应的影响。根据低噪声放大器的结构，可以分为共源级低噪声放大器和共栅级低噪声放大器。对于共源级低噪声放大器，为了在射频信号的输入端实现阻抗匹配，一般采用源极退化电感的结构，将共源级放大器的源极通过一个电感接地。这样的结构可以提供一定的增益以及较低的噪声系数，但是由于这种结构的低噪声放大器采用片上无源电感，集成度受到影响。电感的Q值对电路的性能也会产生较大的影响，不利于片上集成。另...
【技术保护点】
一种全差分低功耗低噪声放大器，其特征在于：该放大器包含共源级放大器和共栅级放大器；其中，共源级放大器包括第一和第二N型金属氧化物晶体管(N1和N2)、第一和第二P型金属氧化物晶体管(P1和P2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第五至第八电阻(R5?R8)和第一至第五电容(C1?C5)；共栅级放大器包括第三和第四P型金属氧化物晶体管(P3和P4)以及第三和第四电阻(R3和R4)；差分输入信号正端(Vin+)接第一和第三电容(C1和C3)的下极板以及第四P型金属氧化物晶体管(P4)的源极；差分输入信号负端(Vin?)接第二和第四电容(C2和C4)的下极板以及第三P型金属氧...
【技术特征摘要】
1.一种全差分低功耗低噪声放大器，其特征在于:该放大器包含共源级放大器和共栅级放大器；其中，共源级放大器包括第一和第二 N型金属氧化物晶体管(NI和N2)、第一和第二 P型金属氧化物晶体管(Pl和P2)、第一电阻(Rl)、第二电阻(R2)、第五至第八电阻(R5-R8)和第一至第五电容(C1-C5);共栅级放大器包括第三和第四P型金属氧化物晶体管(P3和P4)以及第三和第四电阻(R3和R4)； 差分输入信号正端(Vin+)接第一和第三电容(Cl和C3)的下极板以及第四P型金属氧化物晶体管(P4)的源极；差分输入信号负端(Vin-)接第二和第四电容(C2和C4)的下极板以及第三P型金属氧化物晶体管(P3)的源极；第一和第二电容(Cl和C2)的上极板分别接第一和第二 N型金属氧化物晶体管(NI和N2)的栅极；第一和第二电容(Cl和C2)的上极板又分别接第七和第八电阻(R7和R8)的正端，第七和第八电阻(R7和R8)的负端由第一偏置电压(Vbl)提供偏置；第一和第二 N型金属氧化物晶体管(NI和N2)的源极都接地；第一 N型金属氧化物晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴建辉，杨仲盼，李红，陈超，白春风，刘智林，尹海峰，徐哲，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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