【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种偏置电路，属于模拟集成电路设计领域。
技术介绍
图1所示电路是模拟集成电路设计中常用的偏置电路，能提供不随电源电压变化的电压和电流偏置，其中Ml、M2是NMOS管，M3、M4是PMOS管，Ml的源极与接地端相连，Ml的栅极与M2的栅极相连，Ml的漏极与M4的漏极相连；M3的源极和M4的源极均与直流电源相连，M3的栅极与M4的栅极相连，M3的漏极与M2的漏极相连，M2的源极通过电阻Rs与接地端相连。但是，此电路存在多个简并偏置点，会使电源上电时所有的晶体管均为零电流，而电路则会稳定地保持在这种零电流状态，此时电路不能为其它电路提供偏置，因此偏置电路中必须要加入启动电路，来帮助偏置电路摆脱零电流状态偏置点，实现正常启动工作。现有的偏置电路的启动电路如图2中虚线框内所示，图2所示的启动电路中，NMOS管M5的栅极与串联电阻R2和Rl相连，在电源VDD上电时，NMOS管M5提供从电源VDD经PMOS管M3以及NMOS管M5到地的电流通路，保证偏置电路中的所有MOS管在上电过程中摆脱零电流状态。但在偏置电路启动后，由R2、Rl以及NMOS管M6形成的直流...
【技术保护点】
一种偏置电路，包括第一NMOS管和第二NMOS管以及第一PMOS管和第二PMOS管的基本偏置电路，其中，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连，其特征在于，还包括：启动电路；所述启动电路的一端与所述第一NMOS管的漏极连接，另一端与所述第一PMOS管的漏极连接，用于在所述偏置电路的电源上电时，为所述偏置电路中的PMOS管和NMOS管提供导通压降，其中，所述启动电路为一个电容。
【技术特征摘要】
1.一种偏置电路，包括第一NMOS管和第二NMOS管以及第一PMOS管和第二PMOS管的基本偏置电路，其中，所述第一 PMOS管的栅极与所述第二 PMOS管的栅极相连，所述第一 NMOS管的栅极与所述第二 NMOS管的栅极相连，其特征在于，还包括:启动电路； 所述启动电路的一端与所述第一 NMOS管的漏极连接，另一端与所述第一 PMOS管的漏极连接，用于在所述偏置电路的电源上电时，为所述偏置电路中的PMOS管和NMOS管提供导通压降...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈岚，吕志强，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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