【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种将偏置电流提供给动作晶体管的基极的偏置电路。
技术介绍
以往，在差动放大器等中，具有如图4所示那样的发射极共连的一对差动晶体管Q51、Q52，该发射极与恒电流电路相连接。而且，信号输入到差动晶体管Q51、Q52，但是该差动晶体管被提供来自偏置电路的偏置电流后能够进行与输入信号相应的动作。在图4中，具有电源V51、电阻R51、R52，将电源V51的输出电压经由电阻R51、R52提供给差动晶体管Q51、Q52的基极作为偏置电压。然而，在双极型晶体管中，基极发射极间电压VBE、直流电流放大率hfe等参数具有温度依赖性。因而，当使用如图4那样的偏置电路时，差动晶体管Q51、Q52的发射极电位具有温度依赖性。 专利文献I :日本特开平8-340224号公报
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题在使要求低电压动作的电路、混合电路(MIX)等的动态范围(D-range)比较窄的应用电路在较大的温度范围内进行动作的情况下，需要使动作点(发射极、集电极电位)不具有温度依赖性地确保动态范围。用于解决问题的方案本专利技术是一种偏置电路，使用于动作晶体管，其特征在于...
【技术保护点】
一种动作晶体管的偏置电路，其特征在于，具有：第一电阻，其配置在将偏置电流提供给上述动作晶体管的基极的路径上；第一晶体管，流过该第一电阻的偏置电流流经该第一晶体管；第二晶体管，其包括在电流镜电路中，与上述偏置电流对应的对应电流流经该第二晶体管；第三晶体管，其基极与上述第一晶体管的基极共连，上述对应电流流经该第三晶体管；第二电阻，上述对应电流流经该第二电阻，得到与上述第一电阻中的压降对应的压降；以及第四晶体管，其在发射极侧接收基准电压，该第四晶体管的基极与上述第三晶体管的发射极侧相连接，其中，通过上述第四晶体管的基极发射极间电压来抵消上述动作晶体管的基极发射极间电压，通过上述第...
【技术特征摘要】
2011.06.24 JP 2011-1401611.一种动作晶体管的偏置电路，其特征在于，具有 第一电阻，其配置在将偏置电流提供给上述动作晶体管的基极的路径上； 第一晶体管，流过该第一电阻的偏置电流流经该第一晶体管； 第二晶体管，其包括在电流镜电路中，与上述偏置电流对应的对应电流流经该第二晶体管； 第三晶体管，其基极与上述第一晶体管的基极共连，上述对应电流流经该第三晶体管； 第二电阻，上述对应电流流经该第二电阻，得到与上述第一电阻中的压降对应...
【专利技术属性】
技术研发人员：盐田智基，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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