【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路，是一种MEMS与CMOS集成设计单片集成接口电路。
技术介绍
锁相技术已经被电子设备所广泛使用，其具有很多优点。MEMS传感器是当今发展的另一个热点，其输出信号一般比较微弱，需要斩波，相关双采样等技术提供信号强度。图I为常规的锁相技术的框图，其有四个部分构成，主要关系是信号通道同参考通道接受同一个规定的调制频率调制，信号通道包括一些放大和滤波的电路，用于将目标信号放大到满意的范围，在参考通道里，包括相移电路以及驱动电路，用于产生同频率和满足相位的参考频率，最后在相敏放大器和低通滤波器中将噪声部分去除，得到放大后的信 号。如果将MEMS和CMOS锁相放大技术结合起来，将有很好的输出特性和应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路，将MEMS与CMOS融合设计。按照本专利技术提供的技术方案，所述单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路包括交流调制信号发生器、MEMS电容电桥、前置放大器、滤波电路、交流放大电路、相敏检测器、低通滤波器、方波驱动电路...
【技术保护点】
单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路，其特征是：包括交流调制信号发生器（101）、MEMS电容电桥（102）、前置放大器（103）、滤波电路（104）、交流放大电路（105）、相敏检测器（106）、低通滤波器（107）、方波驱动电路（108）、移相电路（109）和参考触发电路（111）；所述调制信号发生器（101）输出端连接MEMS电容电桥（102）输入端和参考触发电路（111）输入端，交流调制信号发生器（101）产生交流调制信号，其信号频率同时调制MEMS电容电桥（102）和参考触发电路（111）；在信号通道上，MEMS电容电桥（102）输出连接下一级的前置放大器（10...
【技术特征摘要】
1.单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路，其特征是包括交流调制信号发生器(101)、MEMS电容电桥(102)、前置放大器(103)、滤波电路(104)、交流放大电路(105)、相敏检测器(106)、低通滤波器(107)、方波驱动电路(108)、移相电路(109)和参考触发电路(111);所述调制信号发生器(101)输出端连接MEMS电容电桥(102)输入端和参考触发电路(111)输入端，交流调制信号发生器(101)产生交流调制信号，其信号频率同时调制MEMS电容电桥(102)和参考触发电路(111);在信号通道上，MEMS电容电桥(102)输出连接下一级的前置放大器(103)的输入端，前置放大器(103)的输出连接滤波电路(104)的输入端，经过滤波，滤波电路(104)输出与交流放大电路(105)的输入端相接，交流放大电路(105)的输出与相敏检测器(106)的一个输入端相接；在参考通道上,参考触发电路(111)的输出接移相电路(109)的输入端，移相电路(109)输出端接方波驱动电路( 108)的输入端，方波驱动电路(108)的输出接相敏检测器(106)的另一个输入端；经过相敏检测 器(106)的相关性检测，相敏检测器(106 )的输出连接低通滤波器(107 )输入端，最后低通滤波器(107 )输出最终的信号。2.根据权利要求I所述的单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路，其特征是，包括MEMS器件部分和CMOS读出电路部分，MEMS器件部分包括所述MEMS电容电桥(102) ;CM0S读出电路部分包括所述前置放大器(103)、滤波电路(104)、交流放大电路(105)、相敏检测器(106)、低通滤波器(107)、方波驱动电路(108)、移相电路(109)、参考触发电路(111)；通过单片集成技术将所述MEMS器件部分和CMOS读出电路部分同时在硅片上实现。3.根据权利要求2所述的单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路，其特征是所述CMOS读出电路部分采用单端输出、单端输入的结构，或采用...
【专利技术属性】
技术研发人员：何鑫，王玮冰，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：
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