电容差检测电路和微机电系统传感器技术方案

本发明专利技术提供了一种电容差检测电路和微机电系统传感器。振荡器分别具有电容器，电容器的电容随外力而变化，并且振荡器根据电容生成第一振荡信号。例如，每个电容器位于衬底和质量体之间，其中质量体面对衬底可移动地放置，并且在垂直于衬底的方向上振动。检测单元通过检测第一振荡信号频率之间的差，来检测电容器的电容之间的相对差。根据检测单元检测到的频率变化，计算在衬底水平方向上施加的角速度或加速度。因此，形成了检测由外力引起的两个电容器的电容之间的微小变化的电容差检测电路和微机电系统传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测两个电容器的电容变化的电容差检测电路和根据两个电容器的电容变化检测所施加的角速度或加速度的MEMS传感器。
技术介绍
近年来，由MEMS(微机电系统)形成的MEMS传感器(角速度传感器和加速度传感器)已经投入了实际应用。这种类型的MEMS传感器具有衬底、相对于衬底可移位地放置并且在衬底的垂直方向上振动的质量体、以及在衬底和质量体之间形成的两个电容器。它们通过检测这两个电容器的电容变化(电容之间的差)，来检测由施加在与振动方向垂直的方向上的科里奥利力(coriolis force)所导致的质量体相对于衬底的位移(对应于所施加的角速度或加速度)。例如，这种类型的MEMS传感器通过检测随电容而变化的延时的差(对电容器的充电/放电)，来检测由科里奥利力导致的电容变化。具体地说，分别向这两个电容器所连接的两个节点提供脉冲信号。脉冲信号的延时差依赖于电容差而不同。接着，生成一个脉冲信号，该脉冲信号的脉冲宽度对应于其延时之间的差，并且使该脉冲信号的电压变平滑。然后，MEMS传感器检测通过平滑过程产生的DC电压中的变化，得到角速度或加速度。另外，例如，日本未审查专利申请公开No本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容差检测电路，包括：多个振荡器，所述多个振荡器具有电容随外力变化的电容器，并且分别根据电容生成第一振荡信号；和检测单元，通过检测第一振荡信号的频率之间的差，来检测电容之间的相对差。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：北野麻世，鹫见秀司，森边刚，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]