电流变液高电场强度介电常数测量电路制造技术

技术编号:2634110 阅读:274 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种测量系统领域的电流变液高电场强度介电常数测量电路,包括:信号输入端子、反相器、发光二极管、电阻、四个开关二极管、两个自举电容、高压隔离驱动芯片IR2130、四个高压开关MOSFET管IRFPC50、被测电容、缓冲电容、积分电容、反馈电阻、运算放大器、测量结果电压量输出端子,采用500V高压对被测电容充电,采用耐600V高压并具有悬浮自举电源的高压隔离驱动芯片IR2130和耐600V高压的MOSFET开关管,以及在其中四只耐700V高压的超快恢复开关二极管,确保测量电路在500V充电电压下可靠地工作。本发明专利技术从根本上消除了寄生电容对测量精度的影响,可以测量在高电场强度条件下的电流变液的介电常数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种测量
的电路,具体地是一种电流变液高电场强度介电常数测量电路
技术介绍
电流变液是一种智能流体材料。在电场作用下,它可以瞬间由液态转变为类固态;电场撤消以后,它又可以迅速地从类固态恢复到液态。到目前为止,电流变液发生显著流变效应所需的电场强度一般都在2000V/mm以上。介电常数是电流变液研究的重要参数之一。一般通过测量充满电流变液的极板电容的电容量,然后计算得到电流变液的介电常数。已有的电容测量方法分为三类振荡法、阻抗测量法(包括各种电桥测量技术)和充放电法。在实际应用中,电流变液总是受到一个单向电场的开、关式作用,与这个工作模式相类似的测量方法是充放电法。一般的充放电法的测量精度容易受到寄生电容的影响。另一方面,由于受到测量电路电源和器件耐压的限制,在所有这些测量电路或装置中,被测电容的充电电压值都比较低(<30V),以电容两个极板的距离为0.25mm计算,电容极板间的电场强度幅值小于120V/mm,远低于电流变液发生显著效应所需的电场强度(>2000V/mm)。经对现有技术的文献检索发现,中国专利号01112515.2,专利技术名称电容层析成像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流变液高电场强度介电常数测量电路,包括:信号输入端子(1)、反相器(2)、发光二极管(3)、电阻(4)、自举电容(7、8)、被测电容(16)、缓冲电容(17)、积分电容(18)、反馈电阻(19)、运算放大器(20),测量结果电压量输出端子(21),其特征在于,还包括:开关二极管(5、6)、高压隔离驱动芯片(9)、高压开关MOSFET管(10、11、12、15)、开关二极管(13、14),信号输入端子(1)分成两路,一路直接输入到高压隔离驱动芯片(9)上,另一路信号接到反相器(2)的输入端,反相器(2)的输出端接到高压隔离驱动芯片(9)上;电路的供电电源有两路,一路为+15V,另一路为+5...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈乐生裘揆陈大跃
申请(专利权)人:上海交通大学
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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