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本发明的偏置电路用于抑制动作晶体管的发射极电压的温度依赖性。将偏置电流Ib经由第一电阻R3、R4和第一晶体管Q7提供给动作晶体管Q8的基极。包括至少一个电流镜电路,与偏置电流Ib相应的对应电流Ib’流过第二晶体管Q3。第三晶体管Q2与第一晶...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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本发明的偏置电路用于抑制动作晶体管的发射极电压的温度依赖性。将偏置电流Ib经由第一电阻R3、R4和第一晶体管Q7提供给动作晶体管Q8的基极。包括至少一个电流镜电路,与偏置电流Ib相应的对应电流Ib’流过第二晶体管Q3。第三晶体管Q2与第一晶...